二维光折变缺陷光子晶格的制作

研究了一种制作缺陷光子晶格的新方法,即交叉相位法。利用此方法,成功地在(2+1)维12μm×12μm的光子晶格中构造了微米量级的线缺陷和点缺陷,验证了此方法在构造缺陷光子品格的可行性和优越性。

二维网状光折变光子晶格的构造与研究

利用交叉相位法,辐照两个带有15个孔相互正交的振幅掩膜,成功地在LiNbO3∶Fe晶体中构造了二维网状光折变光子晶格。分析了掩模孔间距、写入时间及入射角度等实验条件对写入光子晶格的影响。分别推导了两个掩膜的空间电磁场分布并在理论上进行了叠加和数值模拟,结果和实验符合的很好,这对光子晶格的应用和研究有一定的意义。

具有线缺陷二维光折变光子晶格的制备研究

利用交叉相位法采用波长为532nm激光在自散焦光折变晶体LiNbO2：Fe中成功地制作了带有线缺陷的二维光折变光子晶格，晶格周期为12．8μm×12．8μm，线缺陷宽度为32．6μm。对其晶格线缺陷局域光的特性进行了详细的实验观测和初步的理论研究。实验结果表明，在折射率变化量仅有10^-3～10^-3的LiNbO3：Fe晶体中，由于光折变光子晶格的存在，以及晶格带隙的作用，负折射率的线缺陷具有局域光和导光的作用。实验结果说明：在LiNbO3：Fe中写入带有线缺陷的二维光折变光子晶格并把光波局域在缺陷内部是完全可行的。利用此性质，可以制作类似于光子晶体光纤的光学元件，对光通信的发展是非常重要的。