一种低功耗全差分交叉耦合环形振荡器设计

提出了芯片内部振荡器的一种设计方案,该振荡器采用了全差分环形振荡器的结构,其延迟单元使用了共模反馈和交叉耦合晶体管对对频率进行调节校准,抑制相位噪声能力强。还提出了一种新型的基准源结构,这种结构产生的电流温漂系数小、电源抑制比高。该设计基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,测试结果表明,在3.3V的低电源电压下,振荡频率抖动范围很小,中心频率在11.4MHz,功耗仅为1.4mW。

一种低电压低功耗的环形压控振荡器设计

提出了锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案.该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构,其延迟单元使用交叉耦合晶体管对来进行频率调节.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,用Hspice对电路进行了仿真.仿真结果表明,该压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率,在1.8V的低电源电压下,振荡频率的变化范围为402～873MHz,中心频率在635MHz,功耗仅为6mW,振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为3.91ps.

基于可调谐LC谐振回路的双频VCO

采用嵌有交叉耦合晶体管对的LC谐振回路结构,利用其固有的多种振荡模式,设计了一款用于多标准射频收发器的压控振荡器(VCO)。该电路通过变容管开关偏置的作用,操作于高频串联谐振和低频并联谐振两个模式,并且输出的所有频率都与谐波无关。通过累积型MOS变容管的调谐作用对LC谐振回路的节点阻抗进行改变,实现振荡器在两个模式下的切换。基于TSMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺实现文中所提出的VCO,测试表明:该VCO的振荡频率为2.92 GHz^3.23 GHz和7.31 GHz^8.2 GHz,该两个频带的相位噪声分别为-128.22 d Bc/Hz@1 MHz和-123.2 d Bc/Hz@1 MHz。

基于电流折叠技术的CMOS全差分VCO设计

针对目前通信系统应用上对压控振荡器的片上集成、宽调谐、调幅、启动特性和功耗等提出的综合性要求，分析和设计了一种压控调频调幅振荡器，其延迟单元采用全差分结构，以消除共模噪声和增加延迟控制的灵活性；并利用交叉耦合的差分负阻和电流折叠的正反馈技术进行频率调谐，使之在宽频范围内具有常数振荡幅度。采用0．5μmCMOS工艺进行Spice仿真，结果表明振荡器具有34～197MHz的宽调谐范围，并能保持常数振荡幅度，功耗仅10mw，启动时间仅52ns。系统还能在0．5～2．0V范围内进行良好的线性调幅。

一种全差分环形压控振荡器的研究与设计

提出了锁相环的核心部件压控振荡器（VCO）的一种设计方案。该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构，其延迟单元使用交叉耦合晶体管来进行频率调节。基于SMIC 0．18μm CMOS工艺，用Hspice对电路进行了仿真。仿真结果表明，该压控振荡器具有良好的线性度，较宽的线性范围以及高的工作频率，在1．8V的低电源电压下，振荡频率的变化范围为402～875MHz，中心频率在635MHz，功耗仅为6mW，振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为5．91ps。