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插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析
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作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 曾德长 赖武彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1834-1836,共3页
在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层... 在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍。XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场。 展开更多
关键词 NiFe/FeMn 交换偏置场hex 表面偏聚 Bi插层
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