交换耦合复合介质及研究进展

交换耦合复合介质有望解决现有磁记录材料面临的三难问题,是非常有希望的下一代高密度磁记录介质。本文介绍了交换耦合复合介质的概念、物理原理以及交换耦合复合介质研究中的一些理论问题以及研究进展。在各类交换耦合复合介质中,多层纳米线被广泛看好。本文对多层纳米线中畴壁的特性、畴壁的运动以及基于畴壁运动的畴壁辅助磁记录模式的研究进行了重点介绍。

CoPt-TiO_2/Co-TiO_2交换耦合磁记录薄膜的研究

建立包含微结构的微磁学模型,研究软磁层的磁晶各向异性场、软磁层的饱和磁化强度等本征磁性参数对CoPt-TiO_2(16 nm)/Co-TiO_2(4 nm)交换耦合磁记录薄膜磁性的影响。计算得到的CoPt-TiO_2(16 nm)的硬磁薄膜易磁化轴的磁滞回线的矫顽力为6.1 kOe,矩形度为0.98。在交换耦合介质中,当软磁层的厚度δ从0 nm增加到4 nm时,易磁化轴的矫顽力从6.1 kOe减小到4.9 kOe。同时发现,软磁层越软(软磁层的磁晶各向异性场越小,饱和磁化强度越大)时,整个薄膜的矫顽力也越小。

飞高对叠瓦式存储系统的性能影响分析

叠瓦式磁记录和交换耦合介质相结合是提高磁记录面密度的有效方法,飞高作为磁头设计中的主要参数之一,对系统记录性能有显著影响.本文介绍叠瓦式写磁头的结构设计,分析交换耦合介质翻转场对写入误差的影响,计算不同飞高下的写磁头磁场分布、强度和梯度.仿真结果显示飞高为10nm时,写磁头能产生的写场强度为17.51kOe,梯度为528Oe/nm,可以在提供足够大写场强度的同时获得较高的梯度,降低写入误差,提高系统性能.