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一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具 被引量:3
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作者 高根生 史峥 +1 位作者 陈晔 严晓浪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期601-606,共6页
介绍了一套基于相位冲突图的生成和处理的新方法 ,可以准确、全面地对由传统方法设计的标准单元版图(暗场 )进行检查 .基于此方法的软件工具能够检查标准单元版图 ,找出不符合交替移相掩模设计要求的图形 ,并给出相关的修改建议 .
关键词 交替移相掩模 位冲突图 标准单元
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100 nm分辨率交替式移相掩模设计 被引量:1
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作者 陆晶 陈宝钦 +2 位作者 刘明 龙世兵 李泠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期260-264,共5页
讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得... 讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。 展开更多
关键词 交替掩模 位冲突 光学临近效应校正
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