聚色氨酸膜电极相敏交流伏安法测定肾上腺素

研究了聚色氨酸膜电极的制备及其肾上腺素在该修饰电极上的相敏交流伏安特性，建立了相敏交流伏安法测定肾上腺素的电化学分析法。在pH6．0的磷酸盐缓冲溶液中，肾上腺素的相敏交流伏安氧化峰电位在298mV，线性响应范围为1．05×10^-6～3．98×10^-5mol／L，检出限为8．40×10^-7～mol／L。用于药剂中肾上腺素的测定，相对标准偏差小于3．84％，加标回收率为99％～104％，多巴胺、抗坏血酸和尿酸不干扰。

计算机化的数字交流伏安法

电化学交流阻抗技术在电化学理论研究和测量上是十分有用的方法。Smith等人讨论了计算机辅助的交流极谱方法中许多人们感兴趣的问题,并曾使用快速富里叶变换技术同时检测多种谐波成分。近来,Bond进行了微处理器辅助的数字交流极谱仪的研究。迄今,计算机化的交流伏安仪方面的研究国内尚未见报道。本文在前文多功能仪器系统的基础上进一步建立了阶梯扫描交流伏安法并应用于实验研究,获得了满意的结果。

交流伏安法快速检测生活饮用水中卡那霉素残留量

基于目标物诱导适配体探针构型变化信号转导机制,构建了一种电化学生物传感器并用于生活饮用水中卡那霉素(Kan)残留检测。实验优化了探针孵育浓度、钝化溶剂链长度、交流伏安法(ACV)频率和检测温度4个关键参数。在实际样品溶液中,该传感器方法用于Kan-A检测,线性范围为0.2~1.0 mmol/L,检测限为0.060 mmol/L,加标回收率在85.8%~94.3%范围,相对标准偏差(RSD)为5.6%~11.2%,同时响应时间仅为~45 s,且检测过程无需进行样品前处理和添加其他辅助试剂,可用于生活饮用水中目标物残留的快速定量检测。

交流伏安法研究镍基体对次亚磷酸根的催化氧化

通过交流伏安法,发现碱性体系中镍电极在很负的电位下有非常规的法拉第电流响应。根据金属水合氧化物催化理论,电流响应是由镍表面缺陷处原子氧化成镍的水合氧化物引起的,由于其起始电位与次亚磷酸根氧化的起始电位相同,所以认为镍的水合氧化物是催化次亚磷酸根氧化的真正物种。

煤矿井下低压电网对地绝缘电阻及分布电容的测量方法分析

为了验证交流伏安法和交直流伏安法测量煤矿井下低压电网对地绝缘电阻值及分布电容值的准确性,介绍了这两种方法的理论分析和计算公式推导,并利用井下低压电网模拟电路对这两种方法的测量结果进行了比较,得出了交直流伏安法测量的对地绝缘电阻值和分布电容值误差较小的结论。

煤矿井下低压电网对地绝缘电阻及对地分布电容的测量方法

摘要：为了验证交流伏安法和交直流伏安法测量煤矿井下低压电网对地绝缘电阻值及对地分布电容值的准确性，介绍了这两种方法的理论分析和计算公式推导，并利用井下低压电网模拟电路对这两种方法的测量结果进行了比较，得出了交直流伏安法测量的对地绝缘电阻值和对地分布电容值误差较小的结论。

用对数法测定电感的实验方法

用对数法测定电感的实验方法合肥微机所张立正确测定电感是电气工程中经常需做的工作。测定电感的方法有多种，如：交流伏安法、直流电流上升率法、电势平衡法等。本文介绍一种简便、有效、误差率低的测定电感的实验方法，以供参考。１测定方法本方法是在被测电感上突加一...

四种钌(Ⅱ)配合物的中心离子电化学行为的比较

应用循环伏安、循环交流伏安和微分电容技术等电化学方法研究了由 Ｒｕ（Ⅱ）与 ２，２’－联吡啶（ｂｐｙ）、１，１０－邻菲咯啉（ｐｈｅｎ）和桥联配体１，４－二［２－咪唑并［４，５－ｆ］邻菲咯啉］苯（ＤＩＰＢ）配位而成的四种配合物［Ｒｕｌ：Ｒｕ（ｂｐｙ）２ＤＩＰＢ（ＣｌＯ４）２、ＲＵ２：（ｂｐｙ）２Ｒｕ（ＤＩＰＢ）Ｒｕ（ｂｐｙ）２（ＣｌＯ４）４、Ｒｕ３：Ｒｕ（ｐｈｅｎ）２ＤＩＰＢ（ＣｌＯ４）２和 Ｒｕ４：（ｐｈｅｎ）２ ＲＵ（ＤＩＰＢ）Ｒｕ（ｐｈｅｎ）２（ＣｌＯ４）４］在铂电极上的电化学行为及金属间的相互作用. 研究结果表明，在高氯酸四丁基铵（ＴＢＡＰ）的乙腈溶液中，单、双核中心离子在循环伏安图上分别呈现１对可逆的１电子和２电子的氧化还原波，单核对应的配位阳离子的扩散系数较双核的大，辅助配体为ｂｐｙ的配位阳离子的扩散系数较ｐｈｅｎ的大应用循环交流伏安法和微分电容技术研究则发现，双核中心离子的氧化还原过程表现为２个连续单电子过程的重叠。

铅酸蓄电池板栅合金的EIS研究

用交流阻抗(EIS)和交流伏安(ACV)法研究了纯铅、铅锡以及两种Pb Ca Sn Al合金在900mV(vs.Hg/Hg2SO4)极化不同时间后的行为。测试表明腐蚀膜是由外层的PbSO4和内部的PbO构成,PbO的导电性较差,是形成钝化层的主要原因,加Sn有助于降低PbO的厚度,有效防止钝化层的形成。原因可能是由于Sn的氧化产物导电性较好,夹杂到腐蚀膜中提高了腐蚀膜的导电性,并有利于导电性PbOx的生成,保证电池在深循环条件下的应用。但对于长时间的极化来说,钝化层的导电性还是逐渐降低,这可能是由于锡的氧化物又逐渐溶解于硫酸中所造成的。

铅铋合金上生长的阳极Pb(Ⅱ)膜的性质

应用交流伏安法、线性电位扫描法和电化学阻抗频谱法分别研究了铅和铅铋合金在4.5mol·L-1H2SO4溶液中以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)生长的阳极膜的性质,测得了阳极膜的阻抗实数部分随电位的变化曲线和阳极膜的生长速率。结果表明:铅和铅铋合金在0.9V下生长的阳极膜的主要组成为Pb(Ⅱ)(PbO+PbO·PbSO4)和PbSO4。Pb和Pb 1.0%(w)Bi合金电极上Pb(Ⅱ)电量随膜生长的增长率分别为81.2mC·cm-2·h-1和61.8mC·cm-2·h-1,膜中PbO的电阻随膜生长时间的增长率分别为26.2Ω·cm2·h-1和19.2Ω·cm2·h-1。由此可见,在铅合金中添加铋,不仅可以降低阳极腐蚀层Pb(Ⅱ)氧化物的电阻,亦可较显著地抑制阳极Pb(Ⅱ)膜的生长,从而改善板栅/腐蚀层界面电阻和抑制铅合金的阳极腐蚀。

铟含量对铅铟合金在硫酸溶液中阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜生长的影响

采用交流伏安法、线性电位扫描法和X射线多晶衍射法研究了不同铟含量的铅铟合金在0 9V(vs.Hg/Hg2SO4)电位下,4 5mol·dm-3H2SO4溶液中生长的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的电化学性质和相组成。结果表明,不同铟含量的添加均可抑制合金表面阳极Pb(Ⅱ)膜的生长、降低Pb(Ⅱ)膜的阻抗,这种作用随着铟含量的增大而增强。

温度对铅阳极膜电化学性能的影响

利用线性电位扫描法、交流伏安法、电化学阻抗谱(EIS)及Mott-Schottky方程,研究了温度对纯铅在4.5mol/LH2SO4溶液中形成的阳极腐蚀膜电性能的影响.结果表明:温度对膜电化学性能具有显著的影响,随着温度的升高,膜的电阻增加,孔隙率增加,传递电阻减小.EIS结果表明膜的生长遵循固相机理,Mott-Schottky曲线显示腐蚀膜呈现n型半导体特性,随着溶液温度升高,膜内的施主密度减小.

铈含量对铅铈合金在硫酸溶液中的阳极行为的影响

采用线性电位扫描法和交流伏安法分别研究了不同铈含量的铅铈合金在 4.5mol·dm-3 H2 SO4 溶液中以 0 .9V(vs .Hg/Hg2 SO4 电极 )生长的阳极Pb(Ⅱ )膜所需电量的增长率和膜阻抗的实数部分变化 .结果表明 ,铈的添加可降低Pb(Ⅱ )膜电阻 ,但对Pb(Ⅱ )膜生长速率的抑制仅限于低铈含量 ,x(Ce)≤ 0 .0 1.

Pb-Gd合金在硫酸溶液中生长的阳极Pb(Ⅱ)膜的阻抗的研究

应用交流伏安法(ACV)和电化学交流阻抗频谱法(EIS)对含稀土元素Gd的Pb Gd(1.0%)合金电极在4.5mol·dm-3的硫酸溶液中和0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)电位下生长的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的阻抗特性进行了研究,并与纯Pb电极进行了比较.结果表明,稀土元素Gd的添加可显著降低阳极Pb(Ⅱ)膜的阻抗,原因在于Gd可抑制膜的生长和增大膜的孔率.