铝箔交流扩面腐蚀中SO_4^(2-)缓蚀机理的研究

测试了高纯电子铝箔 (以下简称铝箔 )在 2mol/LHCl和 2mol/LHCl+0 5mol/LH2 SO4溶液中三角波动电位激励时的电流响应曲线 ,用Daubechies2小波对所测得的电流响应曲线进行了时频分解 ,研究了SO2 -4在铝箔交流扩面电蚀工程中的缓蚀机理 .提出了铝箔在含Cl-溶液中点蚀时的氧空位侵蚀机理模型 ,该模型指出在一定的酸度条件下 ,在侵蚀膜表面形成的正电荷集中点是Cl-与SO2 -4发生特性吸附的原因 ;Cl-在侵蚀膜内的主要传输途径是存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位链 ;进入侵蚀膜内的SO2 -4在强场作用下发生离解 ,离解出的O2 -与侵蚀膜内的氧空位作用 ,致使氧空位湮灭 ,切断了Cl-在侵蚀膜内的传输途径 ,同时由于这种作用调整了Cl-在侵蚀膜内传输的网络结构 ,增加了蚀孔内新生蚀孔的萌生机率 。

电容器铝箔交流腐蚀扩面机理研究

实现铝电解电容器小型化的关键是铝电极箔电解腐蚀扩面过程的人为设计。为实现这一目标，本文就目前尚不清楚的交流腐蚀扩面机制进行了系统分析研究。首先研究了高纯铝箔在水溶液中的热力学和在盐酸溶液中的动力学行为，接着详细地研究了铝在交流电的负半周所发生的变化，以及这些变化对交流正半周铝的点蚀的萌生和生长的影响，并从理论上推导出控制交流负半周腐蚀膜形成的数学关系式。在此基础上，提出了铝在交流负半周发生的四种变化，以及交流腐蚀扩面机理。根据这一机理，提出了铝箔的交流腐蚀工艺优化原则，并用实验对这一原则进行了初步验证。本论文的主要内容如下：