多孔氧化铝模板中交流沉积钴纳米线阵列

利用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝模板(PAM).用交流电化学沉积方法成功地在模板孔道内制备了Co纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对Co纳米线的形貌、晶体结构进行了研究.结果表明,模板的孔径均匀,孔道平直.Co纳米线均匀分布在PAM纳米孔隙中,直径与PAM孔径一致,约50 nm,并沿Co(111)晶面择优生长.

模板法交流沉积金纳米线的影响因素

使用交流电沉积在多孔氧化铝模板中制备金纳米线,对交流电沉积时阻挡层厚度、交流电压、交流频率等因素进行了系统的研究和探讨。使用交流电沉积制备出了直径30 nm、长度2.1μm的形貌完好、长度均一的金纳米阵列。结果表明模板的阻挡层厚度能够显著影响金属的沉积电位,是保证沉积顺利进行的重要因素。通过记录、分析不同条件下交流沉积过程中时间-电流曲线来对交流沉积过程进行深入研究并提出相应机理。发现同频率下平台电流值不变,纳米线的长度与交流电压大小成正比,而同电压下沉积的平台电流与交流电频率成正比,这些都与阻挡层的半导体特性有关。

多孔氧化铝模板中交流沉积铁与铁铜纳米线阵列

采用二次阳极氧化法制备高度有序的多孔阳极氧化铝模板,采用阶梯降压法减薄致密的阻挡层.在不同铁铜离子摩尔比的电解液中,以铝基底和铂电极作为两电极,利用交流电化学沉积法,在氧化铝模板上成功制备了铁及铁铜纳米线.利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对铁及铁铜纳米线的微观结构和形貌进行了分析.结果表明,制备的铁及铁铜纳米线排列有序,粗细均匀,其直径与模板的孔径一致.

交流电在Al_2O_3模板中沉积金属机理探讨

以铝阳极氧化形成有序的多孔氧化铝为模板，利用交流电在模板孔洞中沉积金属 Ag得到纳米 Ag粒子 /Al2O3组装体系，透射电镜观察证实在氧化铝模板中有金属纳米 Ag粒子存在 .分析了交流电能在孔洞中沉积金属的原因是由于 Al/Al2O3界面的整流特性，测量了 Al/Al2O3界面的 I－ U关系曲线 .

交流电沉积制备SnO_2纳米线及其电沉积条件研究

采用阳极氧化的方法制备了孔径为30-50nm多孔阳极氧化铝(AAO)模板,用交流(AC)电沉积法在氧化铝模板孔洞内沉积金属锡,然后在空气中750℃加热含锡的模板10h,热氧化制备了直径在30-50nm SnO2纳米线.用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射仪对所制备的SnO2纳米线进行了表征,表明所制备的纳米线为多晶结构.并通过改变交流电沉积过程中的电压,频率和热氧化时间来考察不同沉积条件对沉积结果的影响,发现采用交流沉积制备金属纳米线的过程中,频率和电压是影响沉积结果的关键因素.

铝合金阳极氧化膜上交流电沉积制备含铈复合膜

通过交流电解沉积的方法在铝合金阳极氧化膜上制备了稀土铈复合膜,并考察了氧化膜的厚度对形成复合膜的影响。电解成膜溶液为含1 g.L-1CeCl3.7H2O和10 mL.L-1H2O2的水溶液,正弦交流电的平均电压为10 V,交流沉积的时间为5 min。结果表明,阳极氧化膜的厚度是影响成膜的主要因素,在实验中,氧化膜的厚度大于6.8μm时才能形成连续均匀的复合膜。测试分析结果表明,复合膜表面的铈元素分布均匀,平均含量为1.70%(质量分数);Ce元素主要分布在氧化膜多孔层的表层,分布深度约1.5μm。

低频交流电沉积金纳米线阵列的AFM研究

迄今,人们已采用许多方法制备纳米材料,如刻蚀技术、化学法和模板法等[1]. 其中,引起科学界广泛兴趣的模板法, 在合成有序纳米材料上占有极其重要的地位. 常用的模板有两种,一种是有序孔洞阳极氧化铝(Anodic Aluminum Oxide, AAO)模板[2],另一种是含有孔洞无序分布的高分子模板. AAO模板具有耐高温,绝缘性好,孔洞分布均匀有序,而且大小可控等特点[3]. 可以利用AAO模板来制备各种纳米纤维和纳米管,如导电聚合物[4]、金属[5]、半导体[6]、碳[7]和其它一些材料. 由于纳米材料的应用具有广阔的前景,如光催化、电化学、酶固定等方面,因而不同材料纳米线的制备备受关注. 应用较广的模板合成法是一种较好的制备纳米结构的化学或电化学方法,尤其是利用它可以稳定地制备出复合材料的纳米线.

交流电沉积法制备金属氧化物纳米材料及形貌控制

以不同种类的金属丝为电极 ,采用交流电沉积的方法在液相水溶液中制备了多种金属氧化物纳米材料 ,并对其形貌进行了控制。由XRD和TEM分析结果表明 ,在相同的NaCl电解质水溶液中 ,不同的金属电极对应的不同金属氧化物纳米产物具有明显不同的形貌。

交流电沉积频率对Fe-Co纳米线阵列的成分和磁性能的影响(英文)

采用交流电沉积方法于不同频率在氧化铝模板中合成了线间距50nm、直径22nm的Fe—Co合金纳米线阵列，研究了沉积频率对阵列成分、晶体结构以及磁性能的影响．研究发现：Fe—Co纳米线阵列的最佳沉积频率范围为5-350Hz．在此范围内合成的阵列，其晶体结构对沉积频率的依赖并不明显，但成分与磁性能却会受到沉积频率的影响．阵列磁性能随频率的变化趋势可以用纳米线饱和磁化强度与线间静磁耦合作用的改变来定性解释．氢气退火后，所有阵列均具有良好的磁性能．它们的矫顽力和矩形度分别高于3．512kOe和0．939．其中，50Hz沉积的阵列磁性能相对最好．热磁分析表明：其居里温度约为630℃．

交流电化学沉积铜纳米线阵列及其机理探讨

利用二次阳极氧化的方法制备孔高度有序的阳极氧化铝(AAO)为模板,采用交流电化学沉积方法,在AAO模板孔道内制备Cu纳米线。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对Cu纳米线的形貌、晶体结构进行研究。结果表明:模板的孔径均匀,孔道平直。Cu纳米线均匀分布在AAO模板纳米孔隙中,直径均一,并沿Cu(Ⅲ)晶面择优生长;AAO模板孔道生长铜纳米线不光滑,成凹凸状,并对此沉积机理进行探讨。

多孔阳极氧化铝模板法交流电沉积单晶镍纳米线阵列

一维纳米材料在光学、电学、磁学等领域有着广阔的应用前景。采用二次阳极氧化法,结合逐级降压法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,然后在其上交流电沉积了单晶镍纳米线阵列。利用SEM,XRD,TEM等对镍纳米线阵列的形貌和结构进行了表征,探讨了沉积效果与沉积电流密度-时间曲线和稳定沉积电流密度大小之间的关系。结果表明:沉积电流-时间曲线为V形时,电流先降后升,稳定沉积电流密度较大,无法获得镍纳米线;曲线为典型的L形、稳定沉积电流密度为2 mA/cm2时,镍沉积效果很好,镍纳米线排列整齐、粗细均匀、直径与AAO模板孔径相同,并沿Ni(111)晶面择优生长。本法适合于磁性纳米件和大规模集成电路的制造。

逐级降电压法交流电沉积Pd-Ni纳米线的研究

在传统的二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板的基础上,利用逐级降低电压的方法减薄阻挡层,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪对Pd-Ni合金纳米线的组织形貌、晶体结构和化学状态等进行了表征与测试,结果表明,Pd-Ni纳米线的直径为70nm左右,且纳米线径向表面不够光滑,呈毛刺状,单根纳米线属于多晶结构;Pd-Ni纳米线中Pd：Ni原子比接近为1：1,表明金属Pd、Ni在纳米线中处于简单混合状态。此外,对交流电沉积制备金属纳米线时沉积条件的选择做了简要解析。

交流电沉积条件对沉积Ni纳米线的影响

采用恒压40V二次阳极氧化方法制备了阳极氧化铝(AAO)模板,模板的孔径均匀有序。在二次阳极氧化的基础上阶梯降低电压至10V,可有效减薄阻隔层,有利于Ni纳米线的交流电沉积。利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对AAO模板以及Ni纳米线的形貌进行表征。探索了阶梯降低氧化电压、电源滤波以及电沉积频率对沉积Ni纳米线的影响。结果表明,阶梯降低氧化电压、适当的频率以及滤波可以明显提高电沉积效果,得到比较均匀有序的Ni纳米线。

交流电沉积制备PEDOT∶PSS有机电化学晶体管

使用3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)与聚(4-苯乙烯磺酸钠)(NaPSS)的混合水溶液为电解液,采用交流电沉积法在Pt微电极对之间沉积形成薄膜、线、枝晶等不同形貌结构的有机半导体(OS)沟道层。以NaCl电解质作为栅介质,Ag/AgCl电极作为栅极,一对Pt微电极中一个为源极,另一个为漏极,制备形成有机电化学晶体管(OECT)。采用计时电流法和循环伏安法对Pt电极聚(3,4乙烯二氧噻吩)∶聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT∶PSS)聚合过程进行了表征与检测。结果表明EDOT的氧化电位为0.9 V,PEDOT∶PSS的过氧化电位为1.2 V,电沉积制备PEDOT∶PSS的过程中物质输运扩散受限。进一步基于介电泳、电泳以及粒子间的聚合力分析了电化学参数对OS层形貌的影响规律。使用Keithley 2636B源表对OECT进行测试,结果表明制备的OECT为p耗尽型器件,薄膜状OS沟道层的器件性能最好,其跨导达到0.8 mS,开关比达到400。

交流电沉积原位制备Au/Cu双金属SERS探测器

为进一步提高拉曼探测器的检测灵敏度、降低制备成本,使用交流电沉积法在预定的微区域内制备Au/Cu双金属纳米枝晶作为表面增强拉曼散射(surface-enhanced Raman scattering,SERS)基底。通过调节电解液中金、铜离子的浓度配比,制备不同金、铜质量比的SERS基底。以四巯基吡啶作为指针分子,进行激光共焦显微拉曼实验。结果表明:Au/Cu双金属纳米枝晶性能优于单独Au纳米枝晶与Cu纳米枝晶,且铜质量占比为30.1%的双金属SERS基底相比质量占比为13.2%、44.3%的基底具有更高的拉曼活性。从物理增强机理的角度,揭示增强性能与形貌特征的关系,即纳米枝晶分支分布越密集,性能越好。

AAO模板对交流电沉积金属Ni的影响

采用二次阳极氧化的方法制备了孔径在70-110nm的阳极氧化铝模板(AAO),利用制备的模板交流电沉积金属Ni纳米线。二次氧化后逐级降低电压到0V,有效地减薄了阻挡层的厚度,阻挡层的厚度是影响电沉积效果的主要因素。利用扫描电镜及透射电镜表征发现,恒压40V制备的模板进行交流电沉积的Ni纳米线有序性好,直径均匀,与模板的孔径一致,效果最好。同时,实验中采用完整的正弦交流电信号沉积的纳米线不连续,且呈颗粒状聚集,而采用二极管整流后得到的纳米线连续,均匀。

两步电沉积法制备单晶Au纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝为模板,采用两步交流电脉冲沉积法制备具有单晶结构的有序金纳米线阵列.实验表明:在氧化铝模板中由交流电沉积制备的金属纳米线,其成核电压直接影响模板内纳米线的填充率,而生长电压则控制纳米线的结构和形貌均一性.在最佳沉积条件下得到的金纳米线阵列,其填充率高达95%,且具有单晶结构.

水溶液体系中电沉积Sm-Co纳米线工艺的研究

以自制的AAO模板,采用交流电沉积法在添加甘氨酸的水溶液中制备了Sm-Co纳米线。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、能谱分析仪(EDS)和X射线衍射分析(XRD)对AAO模板和纳米线进行了表征和分析;研究了甘氨酸浓度、主盐浓度及浓度比等对纳米线中Sm含量的影响;电化学分析表明络合剂能有效正移Sm-Co共沉积的还原峰,有利于提高Sm3+的沉积效率。

液相法制备纳米Fe_3O_4的研究进展

介绍沉淀法、微乳液法及水热法等纳米Fe3O4的制备方法,讨论了这些方法的优缺点。指出了沉淀法是目前制备纳米Fe3O4的最广泛应用的方法,而超声技术、交流电沉积与传统沉淀法的结合,是制备高纯度、小粒径、均匀分散的Fe3O4最有前途的方法。

交流脉冲电沉积羟基磷灰石涂层的制备及其性能(英文)

采用交流脉冲沉积法在AZ91D镁合金表面合成了羟基磷灰石涂层。考察了交流脉冲电压、沉积时间及电解液添加剂等电化学沉积参数对羟基磷灰石涂层的形貌、微观结构、元素组成及电化学性能的影响。结果表明,当脉冲电压为110 V时,纳米级别的羟基磷灰石涂层表面更为均匀,孔隙度更小,且其XRD的特征衍射峰更为突出。当电解液中添加了NaN O3和H2O2后,羟基磷灰石颗粒和涂层表面形貌均得到优化;同时,极化曲线和交流阻抗测试结果表明该涂层在模拟体液中的耐蚀性能提高。浸泡实验结果表明,该涂层有利于诱导羟基磷灰石的形成,从而提高涂层的生物活性。