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铝箔在HCl中交流电腐蚀的起始成孔效应 被引量:5
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作者 阎康平 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 1996年第1期59-63,共5页
研究了在5.5mol/LHCl高纯铝箔交流电腐蚀的起始成孔对后续蚀孔发展以及表面扩大率影响。50Hz交流电直接腐蚀时,在小于0.2A/cm2时产生大的圆孔,大于0.2A/cm2时产生覆盖有厚膜的小孔,并导致小孔堵塞。... 研究了在5.5mol/LHCl高纯铝箔交流电腐蚀的起始成孔对后续蚀孔发展以及表面扩大率影响。50Hz交流电直接腐蚀时,在小于0.2A/cm2时产生大的圆孔,大于0.2A/cm2时产生覆盖有厚膜的小孔,并导致小孔堵塞。用交流预腐蚀发孔,得到覆盖有透明钝化型薄膜的小孔,孔径较大,并为后续的交流电腐蚀继承和延续。起始蚀孔的几何尺寸和表面膜形态决定后续蚀孔的尺寸和表面膜。 展开更多
关键词 孔蚀 侵蚀 铝箔 交流电腐蚀
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交流电腐蚀方法制备STM探针
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作者 朱阁悠 臧侃 《大连交通大学学报》 CAS 2018年第6期76-81,共6页
采用交流电化学腐蚀法来制备扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)所需要的钨(W)材料针尖,代替了传统的直流断落法,首先细致研究了电压、浸入深度、频率、反相电压、溶液浓度等参数对探针制备成功率的影响,其次根据... 采用交流电化学腐蚀法来制备扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope,简称STM)所需要的钨(W)材料针尖,代替了传统的直流断落法,首先细致研究了电压、浸入深度、频率、反相电压、溶液浓度等参数对探针制备成功率的影响,其次根据实验结果确定了最佳参数值,在显微镜下观察了W针尖的形成过程,并且对实验制备的针尖进行优化处理,W针尖在STM下扫描Si(111)-7×7重构表面获得了原子分辨图像,该方法为针尖的制备提供了一条新的思路. 展开更多
关键词 交流电化学腐蚀 W针尖 扫描隧道显微镜
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碳钢交流电腐蚀机理的探讨 被引量:20
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作者 翁永基 王宁 《中国腐蚀与防护学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期270-274,共5页
开展了碳钢交流电腐蚀失重试验及交流干扰下极化曲线测量,结果表明,在研究的交流电流密度0~250A/m^2范围内,碳钢交流电腐蚀速度与干扰强度符合幂函数方程。交流干扰对极化曲线的影响表现为降低了表面反应电阻R_p,及降低阴、阳极Tafel... 开展了碳钢交流电腐蚀失重试验及交流干扰下极化曲线测量,结果表明,在研究的交流电流密度0~250A/m^2范围内,碳钢交流电腐蚀速度与干扰强度符合幂函数方程。交流干扰对极化曲线的影响表现为降低了表面反应电阻R_p,及降低阴、阳极Tafel斜率。由此解释了交流电腐蚀特征与规律,并探讨了交流电腐蚀机理。 展开更多
关键词 碳钢 交流电腐蚀 失重 幂函数 极化 Tafel斜率
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GIS铝合金材质壳体交流感应电化学腐蚀现象研究 被引量:11
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作者 张猛 吴雪峰 王建西 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1-5,11,共6页
近年来,陆续发现运行过程中GIS铝合金壳体发生比较严重的腐蚀现象,笔者针对两起典型GIS不同部位铝合金外壳腐蚀事件开展研究分析,认为母线铝壳体上形成的环流和腐蚀部位积水即感应电位是诱导形成电化学腐蚀的主要原因,腐蚀缺陷处的环流... 近年来,陆续发现运行过程中GIS铝合金壳体发生比较严重的腐蚀现象,笔者针对两起典型GIS不同部位铝合金外壳腐蚀事件开展研究分析,认为母线铝壳体上形成的环流和腐蚀部位积水即感应电位是诱导形成电化学腐蚀的主要原因,腐蚀缺陷处的环流电流密度决定腐蚀速率和腐蚀程度,通过阐述铝壳体电化学腐蚀产生的条件和机理,证明运行过程中的GIS铝合金壳体在一定条件下会发生交流腐蚀,并依此研探提出防范措施。 展开更多
关键词 GIS铝合金壳体 交流电化学腐蚀 交流感应 环流 感应电位 积水 临界腐蚀电流密度
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GIS铝合金法兰腐蚀原因分析及防范措施
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作者 张荣辉 《科技创新与应用》 2023年第35期141-144,共4页
近年来,加纳某燃机电厂在运行过程中陆续发现GIS铝合金接地外壳连接法兰发生严重腐蚀现象。通过对比分析GIS不同部位的铝合金连接法兰腐蚀程度,认为铝合金交流电化学腐蚀是造成本缺陷的主要原因,针对此原因,结合现场实际情况提出相应防... 近年来,加纳某燃机电厂在运行过程中陆续发现GIS铝合金接地外壳连接法兰发生严重腐蚀现象。通过对比分析GIS不同部位的铝合金连接法兰腐蚀程度,认为铝合金交流电化学腐蚀是造成本缺陷的主要原因,针对此原因,结合现场实际情况提出相应防范措施和注意事项。得知降低连接法兰内侧的交流感应电压和减少铝合金与外界空气的接触对减缓铝合金法兰的腐蚀具有重要作用。 展开更多
关键词 GIS铝合金腐蚀 交流感应 铝合金交流电化学腐蚀 铝合金大气腐蚀 防范措施
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杂散电流对长输管道腐蚀的探讨与防护 被引量:2
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作者 闫明龙 吕永林 周翔宇 《当代化工》 CAS 2013年第12期1737-1738,共2页
对金属管道腐蚀的原理进行了论述,并专门就电解腐蚀对长输管道所产生的影响进行了研究讨论。电解腐蚀分为交流电腐蚀和直流电腐蚀且直流电腐蚀更为严重;交流电与管道距离超过1 000 m时则不需要考虑防护措施;当交流电密度值大于100时,则... 对金属管道腐蚀的原理进行了论述,并专门就电解腐蚀对长输管道所产生的影响进行了研究讨论。电解腐蚀分为交流电腐蚀和直流电腐蚀且直流电腐蚀更为严重;交流电与管道距离超过1 000 m时则不需要考虑防护措施;当交流电密度值大于100时,则必须采取防护措施;当交流电密度值小于30时则一定不用考虑防护措施;直流电附近的管道周围土壤电位梯度大于2.5 mV/m时,应采取直流排流保护措施。 展开更多
关键词 腐蚀 管道 杂散电流 流电腐蚀 交流电腐蚀
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Surface nanostructure modification of Al substrates by N^+ ion implantation and their corrosion inhibition 被引量:2
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作者 FatemeABDI HadiSAVALONI 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期701-710,共10页
The influence of implantation of N+ions of different energies on the nanostructure of7049Al substrates and the corrosioninhibition of produced Al samples in a3.5%NaCl solution was studied.The X-ray diffraction(XRD)res... The influence of implantation of N+ions of different energies on the nanostructure of7049Al substrates and the corrosioninhibition of produced Al samples in a3.5%NaCl solution was studied.The X-ray diffraction(XRD)results confirmed the formationof AlN as a result of N+ion implantation.The atomic force microscope(AFM)results showed that grains of larger scale are formedby increasing N+energy which can be due to heat accumulation in the sample during implantation causing higher rate of diffusion inthe sample,hence decreasing the number of defects.Corrosion resistance of the samples was studied by the electrochemicalimpedance spectroscopy(EIS)measurements.Results showed that corrosion resistance of implanted Al increases with increasing N+ion energy.The equivalent circuits for the N+implanted Al samples with different energies were obtained,using the EIS data whichshowed strong dependence of the equivalent circuit elements on the surface morphology of the samples.Finally,the relationshipbetween corrosion inhibition and equivalent circuit elements was investigated. 展开更多
关键词 ion implantation ALUMINUM CORROSION electrochemical impedance spectroscopy equivalent circuit
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