交流等离子体显示板寻址和维持放电的二维流体模拟

采用二维流体模型对表面放电型交流等离子体显示板的放电过程进行了数值模拟 ,放电气体为Ne + 5 %Xe(体积分数 )混合气体 ,模拟时间包括寻址脉冲及其后一个维持脉冲 .通过模拟 ,得到了放电过程中粒子密度和壁电荷等物理量随时间和空间的变化规律 ,结果与实际的物理过程相符合 .计算结果表明 ,寻址放电产生的壁电荷在维持和扫描电极间形成的壁电压超过了 15 0V ,维持期间施加 -

用于彩色交流等离子体显示板的Ne-Ar-Xe混合气体的研究

由氖 (Ne)氙 (Xe)气体混合组成的放电气体使彩色交流等离子体显示板 (AC PDP)具有着火电压低 ,亮度、光效高的优点 ,但激发态氖原子发出的橙红色可见光对荧光粉发光的色纯影响很大。通过对充入Ne Ar Xe混合气体 (氩气分压强与气体总压强之比从 0 .0 2到 0 .40 )的AC PDP的着火电压、维持电压工作范围、亮度、光效和白场色度的测量 ,研究了氩气对AC PDP光电性能的影响。经过综合比较 ,氩气和氙气分压强与气体总压强之比分别为 0 0 5和 0 0 4时 ,PDP的白场色度较佳 ,而且着火电压适中 ,亮度和光效较高。最后从理论上分析了在Ne

彩色交流等离子体显示板气体放电中平均电子能量的计算

由局域近似假设 ,推导出了彩色交流等离子体显示板 (AC PDP)气体放电中平均电子能量的计算公式 .该由公式的计算结果表明 ,随着Xe分压强与总气压之比xXe或气压 p的增加 ,平均电子能量下降 ,而由电场强度改变造成的能量变化的幅度减小 .根据此计算结果 ,对xXe和 p对彩色AC PDP光电性能的影响进行了理论分析 .分析结果表明 :随着xXe的增加 ,着火电压、记忆范围、亮度和光效均增加 ;随着 p的增加 ,记忆范围、亮度和光效也单调增加 ,而着火电压存在着一个最小值 .

交流等离子体显示板的壁电压

采用积分电路而求壁电压，得到壁电压几种效应：邻近单元效应、滞后效应和频率响应效应。最后是壁电压的应用。在单色等离子体显示板中用来维持放电，以及早期的单色等离子体显示板产生灰度。在彩色等离子体显示析中用来控制维持电压的上升速度，提高图像质量，提高对比度和亮度。

DP-9型512×256线交流等离子体显示板

本文主要叙述了交流等离子体显示板结构、工作机理、结构参数设计、材料选择及主要技术关键,并介绍了研制结果。

驱动方法对交流等离子体显示板性能的影响

交流等离子体显示板的动态范围受驱动波形、工作频率、驱动方法等外在的条件影响。引入全新的驱动方法后，导致显示板的动态范围大幅度扩展，保证了大显示容量等离子板和显示器全屏幕工作时的电压均匀性和实时显示。

大面积ACPDP保护膜的制备及其特性之研究

本文讨论了制取均匀、致密、清洁ＭｇＯ保护膜的途径及不同工艺对膜和ＡＣＰＤＰ特性之影响。

彩色ACPDP列电极间电位分布的研究

本文运用数理方法 Schwarz- Christoffel变换计算彩色交流等离子体显示板列电极之间的电位分布 ,分析与该分布有关的参数 ,讨论与光串扰、辉光扩展等影响显示质量指标的关系 ,这对获得高品质ACPDP的总体设计具有极为重要的指导意义 .

AC-PDP保护层用的两种新材料

介绍了两种AC-PDP保护层用新材料。这两种新型保护层是:在MgO基层上交替沉积的LaF2/MgO多层保护层和在MgO基层上沉积的LaF3单层保护层。现已证实:它们在降低PDP的着火和维持电压方面是有效的,且能提高PDP的亮度。

640x480线AC-PDP产品的研制

介绍我国自行开发的对角线２８．４ｃｍ，分辨率２．８线／ｍｍ的ＤＰ－１３型矩阵式交流等离子体显示板的基本结构。工作原理，制作工艺。

显示技术、器件及设备

TN 141.5 96063885交流型彩色等离子体显示板的实验研究=Experimentalresearch of color ACPDP[刊,中]/彭国贤(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))∥光电子技术.—1995,15(3).—218—225叙述交流型彩色ACPDP的结构和工作原理,以及某些实验结果。实验中发现,不同的荧光粉点排列方式具有不同的色度坐标。图9表1参4(严寒)TN141.5 96063886驱动方法对交流等离子体显示板性能的影响=Influenceof drive method on ACPDP performance[刊,中]/沈铮(南京电子器件研究所.江苏,南京(21001 6))∥光电子技术.—1995,15(3).—238—242交流等离子体显示板的动态范围受驱动波形、工作频率、驱动方法等外在条件影响。引入全新的驱动方法,导致显示板的动态范围大幅度扩展,保证了大显示容量等离子板和显示器全屏幕工作时的电压均匀性和实时显示。图5表2参2(严寒)

显示技术、器件及设备

TN104.3 94021322a-Si:HTFT的稳定性及热平衡机制=Stability and equilibration kinetics of amorphous silicontransistors[刊,中]/陈忠,闫宝杰,孟志国,熊绍珍,孙钟林(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所)//薄膜科学与技术.-1993,6(4).-301～306报导了栅压偏置所引起的a-Si:HTFT阈值电压的漂移。并讨论了其不稳定性对实际液晶显示应用的影响。图6参6(赵桂云)TN141.5 94021323交流等离子体显示板发光现象研究=Study onfluorescent characteristic of AC plasma displaypanels[刊,中]/张小秋,曹文钦,程昭,山冰(中科院西安光机所),王绪丰(机电部南京55所)//光子学报.-1993,22(5).

Zr含量对磁控溅射Mg-Zr-O薄膜微观结构和放电性能的影响

采用磁控溅射在玻璃基底上沉积Mg-Zr-O复合介质保护膜,研究Zr掺杂含量对薄膜微观结构和放电性能(着火电压,最小维持电压)的影响。结果发现,沉积的Mg-Zr-O薄膜晶粒细小,微观结构仍然保持MgO的面心立方NaCl型结构,所掺杂的Zr以Zr4+形式置换固溶于MgO晶格中。当掺杂Zr浓度为2.03at%时,薄膜具有最强的(200)择优取向和最小的表面粗糙度。适当Zr掺杂的Mg-Zr-O薄膜和纯MgO薄膜相比,其着火电压和最小维持电压分别降低了25和15V。