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交流高压介质瓷料
1
作者
张吉林
毛祖佑
陈亚东
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期1-3,共3页
在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1-xDyx)TiO3,外加适量的CuO,MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器资料,利用Dy^3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒...
在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1-xDyx)TiO3,外加适量的CuO,MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器资料,利用Dy^3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒细化的作用,达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目,生产资料主要性能:εr为7200-8000,tgδ为(1.0-1.1)×10^-2,△C/C,-30℃时为-(30-40)%,+85℃时为-(50-53)%,交流抗电强度EAC为3.5-4.1MV/m.
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关键词
电容器
陶瓷
交流高压陶瓷
钛酸钡
三氧化二镝
喷雾造粒
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职称材料
题名
交流高压介质瓷料
1
作者
张吉林
毛祖佑
陈亚东
机构
成都宏明电子股份有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期1-3,共3页
基金
国家"863"计划Z33-08课题之一
文摘
在BaTiO3中适量引入Dy2O3,采用固相法合成(Ba1-xDyx)TiO3,外加适量的CuO,MnCO3等添加剂,恰当控制喷雾造粒工艺,试制出交流高压电容器资料,利用Dy^3+易于晶界或晶界附近分凝并使杂质富集于晶界或其附近,阻止晶界移动,使陶瓷晶粒细化的作用,达到提高陶瓷介质交流抗电强度的目,生产资料主要性能:εr为7200-8000,tgδ为(1.0-1.1)×10^-2,△C/C,-30℃时为-(30-40)%,+85℃时为-(50-53)%,交流抗电强度EAC为3.5-4.1MV/m.
关键词
电容器
陶瓷
交流高压陶瓷
钛酸钡
三氧化二镝
喷雾造粒
Keywords
capacitor ceramics
AC high voltage ceramics
BaTiO3
Dy2O3
spray-dry-granulation
分类号
TM534 [电气工程—电器]
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
交流高压介质瓷料
张吉林
毛祖佑
陈亚东
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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职称材料
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