优化催化剂密度改善碳纳米管薄膜纯度与场发射特性

对涂敷有不同浓度催化剂的硅基生长出的碳纳米管薄膜的生长状况和特性进行了研究 ,并且获得了催化剂的优化浓度 .在基底上涂敷氢氧化铁溶胶从而引入催化剂颗粒 ,用低压化学气相沉积法生长出碳纳米管薄膜 .工艺表明 ,碳纳米管薄膜的生长状况受到催化剂密度的影响 ,当密度太高时 ,碳纳米管薄膜的尖端效应不明显 ,且杂质含量较高 ;当密度太低时 ,无法生长出均匀的碳纳米管薄膜 .扫描电镜分析和场发射特性测试表明 ,涂敷有优化浓度的催化剂生长出的碳纳米管薄膜 ,具有更明显的尖端效应 ,更高的纯度 ,阈值电压降到 95V .透射电镜观察到的碳纳米管直径为 1 0～1 0 0nm .