一种基于交趾型PN结的Si基微盘电-光调制器

制备了一种与CMOS工艺相兼容的Si基微盘电-光调制器,通过使用微盘谐振腔结构减小器件尺寸,使用交趾型PN结扩大光模式与电场的交叠以增强等离子色散效应。调制器的测试结果表明,谐振峰随反向偏置电压增大而逐渐红移,在原谐振波长处可获得约为9dB消光比;在1.5V反向偏置电压、输入信号为峰峰值3V的伪随机码下,实现10Gbit/s调制速率,功耗为44.1pJ/bit。