^(63)Cu活化法测量10~7DT脉冲中子产额

介绍了用63Cu活化法绝对测量产额在107左右的脉冲中子的实验方法,给出了脉冲产额的计算公式,对其测试系统的DT中子灵敏度进行了标定,给出了脉冲中子产额绝对测量数据,分析了其测量不确定度来源,获得了不确定度为12%(k=1)的实验结果。

H_2^+,H_3^+团簇离子在沟道条件下的背散射质子产额测量

采用卢瑟福背散射方法 ,测得了每质子能量为 6 5 0keV的H+2 ,H+3团簇离子在Si晶体 <10 0 >和 <110 >沟道条件下的质子背散射能谱 .结果发现 ,由于H+2 ,H+3团簇在晶体中的库仑爆炸和团簇效应 ,H+2 的背散射质子产额大于H+ 的背散射产额 ,而H+3的背散射质子产额又大于H+2 的背散射质子产额 .通过计算 ,分别得到了H+2 ,H+3在<10 0 >和 <110 >沟道方向的背散射质子产额相对于随机方向背散射产额之比随深度的分布 .

4H-SiC探测器的快中子产额测量可行性研究

为了验证4H-SiC探测器用于快中子产额测量的可行性,利用强流氘氚聚变中子发生器(High Intensity Deuterium-Tritium Fusion Neutron Generator,HINEG)测试了4H-SiC探测器的主要性能。实验获得了探测器的脉冲幅度谱,高能段反应特征峰清晰可辨,^(12)C(n,α_(0))^(9)Be特征峰的半峰全宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)为190 keV,能量分辨率为2.26%,对快中子的注量响应ε_(E)=8.89×10^(-6) n^(-1)·cm^(-2)(±7.7%)。实验结果表明4H-SiC探测器可用于快中子产额测量。

中子管非中子产物性质

采用两只经过标定的ST401闪烁探测器,测量了脉冲中子管的中子产额,在其中一只探测器前端增加铅板屏蔽,1cm的铅屏蔽使探测器输出减少了18.20%,在加速器中子源上进行的类似实验表明,0.5cm的铅使探测器的输出减少了2.90%。对两个中子源上测量的情况进行了蒙特卡罗模拟,加速器实验与模拟符合较好,脉冲中子管实验差别较大。对实验和模拟的情况进行了分析,结果表明:中子管除产生中子外,还会产生数量较多的轫致辐射X射线,这些X射线对准确测量中子管中子产额将造成不良影响。