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释放SF_6气体扰动电离层时的人工气辉研究
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作者 黄勇 程立 张方 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期348-353,共6页
在电离层高度释放SF_6气体能够显著扰动电离层.根据SF_6分子在电离层中的扩散方程,同时考虑其在电离层中主要的离子化学反应,研究了SF_6气体释放后电离层各粒子浓度的时空变化,计算了产生人工气辉的体发射系数和发射强度.结果表明,SF_6... 在电离层高度释放SF_6气体能够显著扰动电离层.根据SF_6分子在电离层中的扩散方程,同时考虑其在电离层中主要的离子化学反应,研究了SF_6气体释放后电离层各粒子浓度的时空变化,计算了产生人工气辉的体发射系数和发射强度.结果表明,SF_6气体在电离层高度释放后,电子和O^+的密度均有大幅度下降,主要的负离子成分由电子转变成SF_5^-;在释放过程中,主要产生777.4 nm和135.6 nm两种气辉,且前者的气辉强度远小于后者;电离层温度对气辉的强度有很大的影响.本文的数值计算与美国IMS/SF_6实验观测数据进行比较,结果近似,且通过数据比较还能准确推断出实验时当地的电离层温度. 展开更多
关键词 电离层扰动 人工气辉 扩散 体发射系数
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