电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析

本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器 ,结合目前扫描隧道显微镜 (STM)进行纳米加工的特点 ,设计了该存储器的电路结构及其结构参数 ,计算出电路的电容矩阵 ,并用MonteCarlo法对电路特性进行了模拟 .结果表明 ,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性 。