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小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
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作者 赵治国 殷华湘 +6 位作者 朱慧珑 张永奎 张严波 秦长亮 张青竹 张月 赵超 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期1030-1033,共4页
随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提... 随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。 展开更多
关键词 高k金属栅 反应离子刻蚀 介质再沉积 化学机械平坦化
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