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小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
1
作者
赵治国
殷华湘
+6 位作者
朱慧珑
张永奎
张严波
秦长亮
张青竹
张月
赵超
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期1030-1033,共4页
随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提...
随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。
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关键词
高k金属栅
反应离子刻蚀
介质再沉积
化学机械平坦化
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职称材料
题名
小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
1
作者
赵治国
殷华湘
朱慧珑
张永奎
张严波
秦长亮
张青竹
张月
赵超
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期1030-1033,共4页
文摘
随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。
关键词
高k金属栅
反应离子刻蚀
介质再沉积
化学机械平坦化
Keywords
High k metal gate
Reactive ion etch
Film re-deposition
Chemical mechanical polish
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
赵治国
殷华湘
朱慧珑
张永奎
张严波
秦长亮
张青竹
张月
赵超
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
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