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本体聚合PMMA基复合介质膜的储能特性研究
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作者 蔡博 赵月涛 +5 位作者 孟祥硕 周榆久 王礼坤 叶虎 潘齐凤 徐建华 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第4期22-27,共6页
目前有机薄膜电容器中的介质材料多为线性电介质,这类聚合物的介电常数通常较低,造成电容器储能密度普遍偏低,而新型高储能聚合物介质材料一般又存在介质损耗高的问题。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与高储能含氟聚合物的相容性较好,常被用来... 目前有机薄膜电容器中的介质材料多为线性电介质,这类聚合物的介电常数通常较低,造成电容器储能密度普遍偏低,而新型高储能聚合物介质材料一般又存在介质损耗高的问题。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)与高储能含氟聚合物的相容性较好,常被用来改善后者的力学和击穿性能,但市售的PMMA存在本征介质损耗过高的问题。为了降低PMMA的介质损耗,本文用甲基丙烯酸甲酯(MMA)与苯乙烯(St)合成MMA-St共聚物(MS),将不同比例的MS掺入本体聚合的PMMA中形成复合体系,并研究复合体系的介电特性、储能特性及绝缘特性。结果表明:该复合体系可以显著降低PMMA的介质损耗,相较于PMMA更适合作为高储能聚合物的改性材料。其中复合10%MS的介质膜在5 500 kV/cm电场下获得了5 J/cm^(3)的放电能量密度,充放电效率达到83%。 展开更多
关键词 聚甲基丙烯酸甲酯 介质损耗 储能 全有机复合介质
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PI/CAB复合介质膜湿敏元件敏感特性研究 被引量:3
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作者 周明军 卢崇考 《传感技术学报》 CAS CSCD 2001年第1期44-48,共5页
本文提出一种新型电容式复合介质膜湿敏元件 ,它的介质膜是将线性输出、温度特性取向不同的两类感湿介质膜 ( PI,CAB)互补复合而成 .对比试验表明 ,复合介质膜湿敏元件具有优异的线性输出 ,并对温度系数。
关键词 PI/CAB 电容 复合介质 湿敏元件 敏感特性
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新型SiO-Ta_2O_5复合介质薄膜电容器的研究
3
作者 韦春才 李和太 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 1999年第5期438-440,共3页
研制出一种新型SiO-Ta2O5复合介质薄膜电容器,复合介质膜是用溅射法将SiO和Ta2O5材料溅射在微晶玻璃片上形成的,其下电极Al和上电极Au是用蒸发法制备的.这种电容器具有耐压强度高、损耗小、漏电低、精度高、稳定性好、合格率高等特点.
关键词 一氧化硅 五氧化二钽 复合介质 电容器
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Garton效应对膜纸复合介质结构电容器损耗角正切测量的影响及其判断方法 被引量:7
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作者 陈绪滨 《电力电容器与无功补偿》 北大核心 2020年第3期67-70,共4页
膜纸复合介质结构电容器在电力系统中的应用越来越广泛,与传统油纸绝缘电容器相比,膜纸复合介质结构电容器的一大优势是其介质损耗角正切(tanδ)更小,在运行时其介质损耗也更小,但是由于Garton效应的存在,在进行介质损耗角正切试验分析... 膜纸复合介质结构电容器在电力系统中的应用越来越广泛,与传统油纸绝缘电容器相比,膜纸复合介质结构电容器的一大优势是其介质损耗角正切(tanδ)更小,在运行时其介质损耗也更小,但是由于Garton效应的存在,在进行介质损耗角正切试验分析时,可能会误判膜纸复合介质电容器的绝缘状态。本文首先简要阐述了Garton效应机理,并通过两个实例,分析了Garton效应对膜纸复合介质结构电容器损耗角正切的影响程度。笔者还就如何确定电容器是否发生Garton效应提出了建议。 展开更多
关键词 GARTON效应 复合介质结构电容器 损耗角正切 试验电压
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膜纸复合介质元件的耐压检验方式探讨
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作者 任伟 左强林 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2002年第2期23-25,共3页
本文结合电介质物理的理论 ,分析了直流耐压、交流耐压和冲击耐压检验方式对薄弱膜纸复合元件检出率的影响 ,得出适合膜纸复合元件的冲击耐压检验方式 。
关键词 耐压检验方式 复合介质元件 绝缘材料 电力电容器
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微波PIN二极管复合介质膜钝化技术的研究
6
作者 杨青 李宁 《电子与封装》 2022年第12期80-84,共5页
表面钝化是半导体器件制造过程中的重要工艺环节之一,对器件的电学特性和可靠性有重要影响。微波PIN二极管器件的可靠性与钝化技术密不可分,结合高温干氧和等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了微波PIN二极管的复合介质表面钝化膜。... 表面钝化是半导体器件制造过程中的重要工艺环节之一,对器件的电学特性和可靠性有重要影响。微波PIN二极管器件的可靠性与钝化技术密不可分,结合高温干氧和等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了微波PIN二极管的复合介质表面钝化膜。通过对膜厚、折射率、表面方块电阻、正向电阻和二极管结电容等参数的测试和分析,对工艺条件进行了优化,获得了致密性好和绝缘强度高的表面钝化膜,提升了微波PIN二极管器件的可靠性和环境适应性。 展开更多
关键词 PIN二极管 钝化技术 电学特性 可靠性 复合介质
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JARYLEC C101用于膜纸复合介质电容器的评价
7
作者 王国伟 《电力电容器》 1993年第2期45-48,8,共5页
JARYLEC C101用于全膜电力电容器的评价已经简要地报道过了。本文叙述C101用于膜纸复合介质电容器的情况。在PRODELEC公司的实验室里已经完成了对膜纸复合模型电容器做的高、低温试验。并用其他电介质液体。例如名称为PYRALENE(三氯联苯... JARYLEC C101用于全膜电力电容器的评价已经简要地报道过了。本文叙述C101用于膜纸复合介质电容器的情况。在PRODELEC公司的实验室里已经完成了对膜纸复合模型电容器做的高、低温试验。并用其他电介质液体。例如名称为PYRALENE(三氯联苯),MIXOFLEX(邻苯二甲酸二辛酯),PXE,DTE(双甲苯基醚)的浸渍剂作了对比试验。 展开更多
关键词 电容器 复合介质 试验
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肖特基势垒二极管SiO_2-Si_3N_4复合钝化膜研究 被引量:1
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作者 石霞 孙俊峰 顾晓春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期344-348,共5页
对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以... 对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。 展开更多
关键词 SiO2-Si3N4复合介质 钝化技术 漏电流 应力 增密
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不同氧气含量下镍铬系平板集热器选择性吸收薄膜的制备和性能表征 被引量:1
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作者 邓双 杨培志 +2 位作者 自兴发 段良飞 张力元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期377-381,共5页
采用双极脉冲磁控溅射系统,在不同氧气含量的氩氧混合气体中制备了单层镍-铬金属-电介质复合光谱选择性吸收薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、激光共焦显微拉曼光谱仪、椭偏仪和紫外-可见-近红外分光光度计分别对薄膜的物相结构和光学特性进... 采用双极脉冲磁控溅射系统,在不同氧气含量的氩氧混合气体中制备了单层镍-铬金属-电介质复合光谱选择性吸收薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、激光共焦显微拉曼光谱仪、椭偏仪和紫外-可见-近红外分光光度计分别对薄膜的物相结构和光学特性进行了表征.结果表明:实验获得了由金属镍和镍、铬的氧化物(NiO、Cr2O3)组成的复合膜,薄膜对300 ~1 200 nm波段的太阳光有较强的吸收,而对波长大于1 200 nm的太阳光则吸收较弱,具有良好的光谱选择性,可用作高效太阳光谱选择性吸收涂层. 展开更多
关键词 选择性吸收 镍铬金属-电介质复合膜 磁控溅射 物相结构 光学性能
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用金属有机溶液和浸渍法制备SiO_2和TiO_2光学薄膜
10
作者 黎夏生 熊予莹 廖秉良 《华南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1989年第1期51-55,共5页
采用TiO_2和SiO_2的金属烃氧基在乙醇溶液中进行水解反应,制成胶状非晶态物质溶液.用浸渍法在玻璃基底上制备出多层TiO_2/SiO_2介质复合膜.它具有涂膜设备和工艺简单,成本低等特点.作者对溶液配制、涂膜工艺和膜的结构进行了初步研究.... 采用TiO_2和SiO_2的金属烃氧基在乙醇溶液中进行水解反应,制成胶状非晶态物质溶液.用浸渍法在玻璃基底上制备出多层TiO_2/SiO_2介质复合膜.它具有涂膜设备和工艺简单,成本低等特点.作者对溶液配制、涂膜工艺和膜的结构进行了初步研究.由实验得出膜厚d与溶液浓度C及提拉速度V的关系;给出了膜厚随其热处理温度的变化;并用扫描电镜对膜的表面结构进行了分析. 展开更多
关键词 金属有机溶液 介质复合膜 浸渍提拉法 焙烧温度 厚度
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非致冷红外焦平面器件用低应力复合介质膜
11
作者 陈永平 刘强 梁平治 《科技开发动态》 2004年第10期37-37,共1页
关键词 非致冷红外焦平面器件 低应力 复合介质 制备方法
原文传递
用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱 被引量:1
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作者 黄君凯 易清明 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1999年第5期17-23,共7页
提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D ... 提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D L T S测量描述了理论结果,所获得的存储陷阱和界面态的分布规律与应用热激电流谱和保留特性方法交叉研究的结果一致上述理论也可用于含有陷阱的其它介质 M I S 结构的 D L T S 展开更多
关键词 MNOS结构 界面陷阱 深能级瞬态谱 复合介质
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非等平面AlGaN紫外探测器阵列挡光技术研究
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作者 叶嗣荣 刘小芹 +2 位作者 赵文伯 周家万 钟强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期893-896,900,共5页
介绍了SiO2/PI1/Al/PI2挡光技术的原理及其制作工艺过程。通过采用SiO2/聚酰亚胺(PI1)/Al/PI2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫外成像。此技术主要应用于日盲型AlGaN紫外焦平面阵列。
关键词 非等平面 AlGaN紫外焦平面 复合介质挡光 日盲成像
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