恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较

以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 .

亲和层析的介质寿命和清洗检测研究

目的:分析研究镍亲和层析介质寿命的检测方法。方法:层析柱维护清洗后的清洗效果需要检测pH、电导率和UV,实验前测量柱效,若结果异常时再进行柱效复核检测,以TOC、电导、为主要检测指标,淋洗水内毒素为辅助检测项目。循环100次。结果:TOC检测值范围在22.700~262.000ppb之间,RSD为77.027%;pH检测值范围在5.400~6.900之间,RSD为7.103%;内毒素检测值范围在0.600~1.100EU/mL之间,RSD为9.443%;洗脱蛋白未检出,电导均<0.25μs/cm;TOC洗脱峰波动明显,pH洗脱峰稍有波动,电导洗脱峰相对平稳。结论:等比例缩小实验规模为商业生产的1/1000(规模没有固定标准,结合自身实际情况),保持生产线性流速,以产品sop作为参考,结合产品的收率,纯度、载量、柱压、评估每次循环后的结果,对结果进行统计分析,依据各个指标的稳定性,综合判断介质使用寿命。

CMAB008单抗阳离子交换层析介质寿命确认

建立CMAB008单抗阳离子交换层析介质寿命确认方案,采用实际生产的工艺参数进行缩小模型试验,以考察Nuvia S层析介质循环到100次后性能指标是否还满足层析需要。按试验方案对Nuvia S层析介质循环到100次,分别在使用前和循环使用20、40、50、70、90次后对层析柱进行柱效测试,以考察随循环次数的增加,层析介质对层析柱对称因子、理论塔板数的影响;对循环1、50、51、100次的层析柱进行动态载量测试,以考察洗脱峰的ProteinA残留、HCP残留、DNA残留、毛细管电泳纯度、SEC-HPLC纯度、活性、得率;以不同上样量20 g/L(循环8、48、88次)、40 g/L(循环9、49、89次)、80 g/L(循环61、62、63次),不同流速110 cm/h(循环10、50、92次)、149 cm/h(循环61、62、63次)、170 cm/h(循环11、59、93次)上样以考察阳离子交换层析洗脱峰SEC-HPLC纯度、得率。结果表明,使用前和循环使用20、40、50、70、90次后柱效测试中,所有对称因子、理论塔板数均在可接受的标准范围内;循环1、50、51、100次的层析柱动态载量测试结果均高于起始动态载量的80%,洗脱峰的ProteinA、HCP、DNA残留检测未有增高趋势,毛细管电泳纯度、SEC-HPLC纯度、活性以及得率未有下降趋势;上样测试结果显示,洗脱峰的SEC-HPLC纯度无明显变化趋势,均大于98%,得率均大于85%。这些试验结果均符合CMAB008原液纯化工艺要求。结果证明,Nuvia S层析介质在循环到100次时性能指标没有下降,可以保证纯化CMAB008单抗产品的质量。

超薄Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质及器件

成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 .在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 .在Vds=Vgs=± 1 5V下 ,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为5 84 3μA/ μm和 - 2 81 3μA/ μm ,对应Ioff分别是 8 3nA/ μm和 - 1 3nA/ μm .