Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响

在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获得了更高的最大饱和电流.另外,对三种器件的C-V与跨导特性的深入分析证明了较厚的Al2O3层拥有更好的介质质量与钝化效果.

由反射系数确定多层介质厚度

讨论了测量多层介质厚度的一种新方法 ,根据输入电磁波反射系数 ,用最优化方法反演出每层介质的厚度。

介质材料厚度对一维光子晶体禁带的影响

由Si和SiO2两种介质材料构成一维二元光子晶体,研究了介质材料各层厚度对光子禁带宽度和禁带位置的影响.为了更加接近实际情况,数值模拟中考虑了Si和SiO2折射率随波长的变化及材料的吸收.研究结果表明,在单周期厚度不变时,随着Si和SiO2两种高低折射率介质厚度比值的增加,光子禁带变窄且禁带中心向长波方向移动;在两种介质厚度比值确定时,随着两种介质厚度同步递增,光子禁带展宽的同时禁带中心向长波方向移动.因此,在介质材料确定的前提下,可通过改变介质材料各层的厚度获得所需要的光子禁带.

无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管

基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响。结果表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm2·V^-1·s^-1,电流开关比高于104),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化。此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)叠加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400~700 nm)的平均透过率(95.0%)高于单层IAZO的平均透过率(93.0%),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力。

高层盲埋孔厚铜板制作探讨

随着电子科技的不断发展,高层厚铜线路板应运而生。文章从高层厚铜板的制作设计、工艺流程、制作要点等进行经验总结,为生产设计提供数据支持。

厚度的阶梯性变化对远红外高反射光子晶体带隙的调制研究

利用特征矩阵法,研究了光波正入射时,厚度的阶梯性变化对远红外高反射光子晶体带隙的影响。结果表明,随着高折射介质层厚度的阶梯性增加,光子晶体高反射带的起始波长和截止波长都逐渐向长波方向移动,高反射带宽度也逐渐增大。高反射带起始波长、截止波长和高折射介质层厚度变化之间的关系可以分别利用一次方拟合表示,而高反射带宽度则需要利用二次方拟合才能达到理想的结果。

特性阻抗板生产控制

概述了特性阻抗板生产过程中主要影响因素并提出有效控制阻抗的方法。

高速PCB阻抗一致性研究

随着信号传输的高速化和高频化发展，对印制电路板的阻抗设计及控制精度要求日趋严格，旨在减少信号在传输过程中的反射、失真等问题，保持传输信号的完整性。PCB制作时由于图形分布均匀性、PP压合厚度均匀性、线宽均匀性及电镀均匀性等问题存在，会导致不同位置阻抗出现差异。本文通过在不同位置设计单端和差分阻抗线，综合分析图形分布、走线位置分布、铜厚等对阻抗一致性的影响，并对影响阻抗控制的关键因素进行分析，确定了影响阻抗一致性的主要因素及各因素作用强弱，可为提高PCB阻抗一致性提供参考和借鉴。

一种挠性区不等长的刚挠板工艺研究

针对等长刚挠结合板因受力不均而导致产生挠性部分折断现象,文章提出了一种不等长(书本型)刚挠板加工工艺,并以我司一款不等长刚挠板为例,详细介绍加工过程中的重难点技术。通过实验对介质层厚度、内层蚀刻参数以及不等长刚挠板的压合工艺进行适应性调整与改进,生产出符合要求的不等长刚挠板,为不等长刚挠结合板的加工工艺提供技术支持。