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利用介质膜高反镜实现“猫眼”目标有效隐身 被引量:4
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作者 刘秉琦 周斌 张瑜 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期117-119,共3页
针对激光主动探测系统的主要工作波长为1 064nm,提出了一种利用介质膜高反镜实现"猫眼"目标隐身的方案。利用单波长介质膜高反镜的反射率特性,将介质膜高反镜与"猫眼"目标光轴以一定角度装配,推导了加载介质膜高反... 针对激光主动探测系统的主要工作波长为1 064nm,提出了一种利用介质膜高反镜实现"猫眼"目标隐身的方案。利用单波长介质膜高反镜的反射率特性,将介质膜高反镜与"猫眼"目标光轴以一定角度装配,推导了加载介质膜高反镜的理想"猫眼"目标回波功率模型,并给出了典型算例。通过实验方法分析了介质膜高反镜的反射率特性,修正了45°激光入射角的平均反射率值。典型"猫眼"目标的外场实验表明,在有限"牺牲"成像质量的前提下,介质膜高反镜可大大降低"猫眼"目标的"猫眼"效应,实现光电装备的有效隐身。 展开更多
关键词 “猫眼”效应 隐身 介质高反 反射率特性
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两次曝光全息层析装置
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作者 陈建文 高鸿奕 谢红兰 《科技开发动态》 2005年第1期46-46,共1页
编号:0501241该专利是一种两次曝光全息层析装置。
关键词 两次曝光全息层析装置 激光器 扩束望远 介质膜镜
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高光提取效率的倒装GaN基LED的研究
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作者 达小丽 沈光地 +3 位作者 徐晨 邹德恕 朱彦旭 张剑铭 《中国科学(F辑:信息科学)》 CSCD 2009年第9期1021-1026,共6页
为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,... 为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO_2/SiN_x介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO_2/SiN_x多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射. 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 SiO2/SiNx 多层介质高反 等离子体增强 化学气相沉积
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