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题名利用介质膜高反镜实现“猫眼”目标有效隐身
被引量:4
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作者
刘秉琦
周斌
张瑜
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机构
军械工程学院光学与电子工程系
解放军
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期117-119,共3页
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文摘
针对激光主动探测系统的主要工作波长为1 064nm,提出了一种利用介质膜高反镜实现"猫眼"目标隐身的方案。利用单波长介质膜高反镜的反射率特性,将介质膜高反镜与"猫眼"目标光轴以一定角度装配,推导了加载介质膜高反镜的理想"猫眼"目标回波功率模型,并给出了典型算例。通过实验方法分析了介质膜高反镜的反射率特性,修正了45°激光入射角的平均反射率值。典型"猫眼"目标的外场实验表明,在有限"牺牲"成像质量的前提下,介质膜高反镜可大大降低"猫眼"目标的"猫眼"效应,实现光电装备的有效隐身。
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关键词
“猫眼”效应
隐身
介质膜高反镜
反射率特性
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Keywords
"cat-eye" target
stealth
dielectric high reflectivity mirror
reflectivity
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分类号
TN248
[电子电信—物理电子学]
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题名两次曝光全息层析装置
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作者
陈建文
高鸿奕
谢红兰
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机构
上海市
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出处
《科技开发动态》
2005年第1期46-46,共1页
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文摘
编号:0501241该专利是一种两次曝光全息层析装置。
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关键词
两次曝光全息层析装置
激光器
扩束望远镜
介质膜镜
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分类号
TH744
[机械工程—光学工程]
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题名高光提取效率的倒装GaN基LED的研究
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作者
达小丽
沈光地
徐晨
邹德恕
朱彦旭
张剑铭
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机构
北京工业大学电控学院光电子技术实验室
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出处
《中国科学(F辑:信息科学)》
CSCD
2009年第9期1021-1026,共6页
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基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)
北京市人才强教计划(批准号:05002015200504)资助项目
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文摘
为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO_2/SiN_x介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO_2/SiN_x多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射.
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关键词
氮化镓
发光二极管
SiO2/SiNx
多层介质膜高反镜
等离子体增强
化学气相沉积
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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