中国先进电介质陶瓷材料技术发展及应用

电介质陶瓷材料是电子工业中制备基础元件的关键材料,其市场需求量大,产业化前景广阔.本文从产业化的角度分析了中国电介质陶瓷材料的发展现状,探讨了影响其技术发展的关键因素,同时介绍了目前市场用量较大、产业化水平较高的钛酸钡粉体材料、电容器介质陶瓷材料、微波介质陶瓷材料、压电陶瓷材料的最新产业化技术动态,很大程度上代表了中国先进电介质陶瓷材料的发展水平.

复合钙钛矿型介质陶瓷材料的研究进展

将复合钙钛矿型介质陶瓷材料分成铅系和无铅系两大类,分别讨论了它们的研究进展,结果表明:采用高活性原料及两步固相合成法、湿化学等方法制备铅系复合钙钛矿材料,可以有效抑制铅挥发及杂相的出现,得到单相钙钛矿相;无铅型复合钙钛矿材料性能主要由不同的A或B位离子复合决定,并通过采用湿化学方法得到改善。目前,纳米级钙钛矿陶瓷材料的制备和研究正引起越来越多人的兴趣。

岩盐型微波介质陶瓷材料的研究进展

岩盐型微波介质陶瓷具有优异的介电性能,成为近年来的研究热点之一。本文总结了近几年岩盐型微波介质陶瓷的研究情况,以不同元素占位为划分原则,将岩盐陶瓷分类为简单AB构型和复杂构型岩盐陶瓷,其中复杂构型代表两种或三种元素同时占据A位。系统介绍了岩盐结构陶瓷的组成、结构以及微波介电性能,分析了不同离子组合和占位对陶瓷性能的影响,并针对岩盐结构微波介质陶瓷目前存在的问题提出改进方法,最后对该类陶瓷的研究方向进行了展望。

Zr_(0.8)Sn_(0.2)TiO_4微波介质陶瓷材料的掺杂改性

以Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 作为主配方 ,以ZnO ,La2 O3,Fe2 O3和NiO作为改性剂 ,采用传统陶瓷制备工艺 ,对其进行了掺杂改性的初步探索。在优选的配方和工艺条件下 ,得到Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 添加0 .5wt%ZnO(即质量分数为 0 .5 %的ZnO)的相对介电常数εr≈ 33.2 31,品质因数Q≈ 5 5 2 8(7GHz) ;添加 0 .5wt %ZnO ,0 .5wt%Fe2 O3和 0 .2wt%NiO ,其εr≈ 33.73,Q≈ 5 2 5 4(7GHz) ;添加 1wt%ZnO和 0 .5wt %La2 O3,材料的εr≈ 37.996 ,Q≈ 4 72 3(7GHz)。

高稳定·宽温单片(或独石)电容器用介质陶瓷材料

利用介质陶瓷材料制造的高稳定、宽温单片(或独石)电容器,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中。在对介质陶瓷材料组分理论、控制温度工艺研究,以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料组分重组的分析的基础上,通过改进研磨工艺,控制煅烧温度等方法,研制出了工作温度范围宽、低损耗、介电常数ε可通过调整、性能稳定性电容器介质陶瓷材料。

温度自动补偿信道滤波器用微波介质材料的研究

作为介质加载同轴谐振腔滤波器用介质材料,其最重要的性能指标是具有能充分补偿谐振腔谐振频率温度系数的材料谐振频率温度系数.作者就这一核心问题,对(Zr1-xSnx)Ti O3微波介质材料的谐振频率温度系数的调节和品质因数Q值的提高进行了研究,当(Zr1-xSnx)Ti O3微波介质材料的谐振频率温度系数调节到10.66ppm/℃时,滤波器的频率漂移在-40～85℃温度范围内可控制在500kHz以下.同时,当材料的Q值达到9000(5GHz)以上时,滤波器通带波形的矩形系数得到明显改善,选择性能达到使用要求.

Ba-Nd-Ti系微波介质陶瓷Q值的提高和方法机理

利用系介质陶瓷材料研制的微波元器件,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中,在理论分析和工艺试验的基础上,通过对介质陶瓷材料组分和控制温度工艺研究,优化BaO-Nd2O3-TiO2组分材料,改进煅烧温度等工艺方法,研制出性能稳定性介质陶瓷材料。为研制用于高频、超高频电子设备中性能稳定微波元器件找到了有效的途径。

太阳能吸热表面的结构与材质

讨论了电介质陶瓷材料太阳能吸热表面的特性及表面结构，基质和发色体的适当匹配。