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高碘酸钠氧化法测定羟丙基瓜尔胶上仲羟基取代度 被引量:4
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作者 叶应庆 丁彬 +3 位作者 王克 何建平 崔俊杰 江波 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期835-840,共6页
高碘酸钠氧化可以使邻羟基C—C键发生高选择性断裂,同时产生两分子醛基.在pH=4.3及25℃的条件下,对瓜尔胶及其衍生物羟丙基瓜尔胶进行高碘酸钠氧化,采用红外光谱与核磁共振谱对氧化产物结构进行了表征.结果表明,氧化后的瓜尔胶和及羟丙... 高碘酸钠氧化可以使邻羟基C—C键发生高选择性断裂,同时产生两分子醛基.在pH=4.3及25℃的条件下,对瓜尔胶及其衍生物羟丙基瓜尔胶进行高碘酸钠氧化,采用红外光谱与核磁共振谱对氧化产物结构进行了表征.结果表明,氧化后的瓜尔胶和及羟丙基瓜尔胶结构中醛基主要以半缩醛的形式存在.通过测定高碘酸钠的消耗量得到不同摩尔取代度羟丙基瓜尔胶糖单元上邻羟基的含量,结合概率分析方法,确定摩尔取代度分别为0.04,0.14,0.36,0.51,0.78,1.05和1.53的羟丙基瓜尔胶在仲羟基上取代度分别为0.02,0.09,0.18,0.30,0.46,0.59和1.03,与其它方法得到的结果一致. 展开更多
关键词 高碘酸钠 瓜尔胶 羟丙基瓜尔胶 仲羟基取代度
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