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p—InGaAlP／p—GaAs异质结构的电流—电压特性
1
作者 周华 《发光快报》 CSCD 1993年第6期36-39,共4页
关键词 异质结 伏-安特性 价带不连续性
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半导体与微电子技术
2
《电子科技文摘》 2000年第3期23-23,共1页
1999年 IEEE 国际微电子测试结构会议录（见0004512）氧浓度和衬底温度对透明导电 Cd<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>薄膜光学性质的影响（见0003782）HBT 中基区内建电场的物理机制及其理论分析（见0003773）InGa... 1999年 IEEE 国际微电子测试结构会议录（见0004512）氧浓度和衬底温度对透明导电 Cd<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>薄膜光学性质的影响（见0003782）HBT 中基区内建电场的物理机制及其理论分析（见0003773）InGaP/GaAs 异质结价带不连续性的直接测量（见0003577） 展开更多
关键词 微电子技术 半导体 薄膜光学性质 测试结构 衬底温度 透明导电 价带不连续性 会议录 内建电场 物理机制
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