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硅价带自旋-轨道分裂的高分辨率光电导谱测定
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作者 俞志毅 黄叶肖 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期399-402,共4页
采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p<sub>1/2</sub>系列跃迁谱线.考虑裂开P<sub>1/2</sub>价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P<sub>1/2</sub>... 采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p<sub>1/2</sub>系列跃迁谱线.考虑裂开P<sub>1/2</sub>价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P<sub>1/2</sub>价带的电离能E<sub>1</sub><sup>*</sup>（硼）=88.45±0.01meV,进而获得硅价带的自旋-轨道分裂为△<sub>o</sub>=42.62±0.01meV. 展开更多
关键词 硅 光电导谱 价带自旋 轨道分裂
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