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浅谈伏安法测二极管的特性
被引量:
4
1
作者
孙新义
杨德甫
《物理实验》
1993年第6期274-275,共2页
高等学校试用的《普通物理实验》一书中,关于伏安法测二极管的特性实验(以下简称伏安特性实验),是通过测出二极管反向饱和电流I_e、正向各种偏压U_D及其对应的电流I_D,算出二极管温度等效电压的倒数(q/kT),再与室温时的理论值比较,让学...
高等学校试用的《普通物理实验》一书中,关于伏安法测二极管的特性实验(以下简称伏安特性实验),是通过测出二极管反向饱和电流I_e、正向各种偏压U_D及其对应的电流I_D,算出二极管温度等效电压的倒数(q/kT),再与室温时的理论值比较,让学生了解二极管的正向伏安特性。该实验和一些较能精确测定半导体PN结电流-电压关系的方法相比,不仅具有方法简单,直观性强,数据易处理等优点,而且使学生能够运用普物实验手段,认识半导体二极管这一重要特性,它是大学低年级可以开设的基础实验之一,但是如按课本上的要求测量,误差很大(只有理论值的一半左右),达不到比较满意的效果,本文通过分析误差产生的主要根源,谈谈原实验方案的弊端及改进意见。
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关键词
二极管
伏一安特性
伏安法
下载PDF
职称材料
含氧等离子体对低温CVD沉积SiO2钝化性能的改善
被引量:
1
2
作者
张国栋
孙维国
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期543-545,548,共4页
对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论 ,提出了SiO2 钝化膜中悬键形成的一种新模式 ;为进一步减少界面陷阱及界面态 ,采用含氧原子的等离子体来处理芯片 ,取得了良好效果 ,含氧等离子气氛由N2 O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片...
对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论 ,提出了SiO2 钝化膜中悬键形成的一种新模式 ;为进一步减少界面陷阱及界面态 ,采用含氧原子的等离子体来处理芯片 ,取得了良好效果 ,含氧等离子气氛由N2 O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片I V特性明显好转 ;Au/Cr SiO2 InSbMIS结构的C V曲线下降坡明显变陡 ,曲线回滞明显变小 ;红外吸收谱表明SiO2 钝化膜中 H键及 OH键的数量明显减少。
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关键词
等离子体
锑化铟探测器
二氧化硅
伏一安特性
电容一电压
特性
红外吸收谱
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职称材料
题名
浅谈伏安法测二极管的特性
被引量:
4
1
作者
孙新义
杨德甫
机构
延安大学物理系
出处
《物理实验》
1993年第6期274-275,共2页
文摘
高等学校试用的《普通物理实验》一书中,关于伏安法测二极管的特性实验(以下简称伏安特性实验),是通过测出二极管反向饱和电流I_e、正向各种偏压U_D及其对应的电流I_D,算出二极管温度等效电压的倒数(q/kT),再与室温时的理论值比较,让学生了解二极管的正向伏安特性。该实验和一些较能精确测定半导体PN结电流-电压关系的方法相比,不仅具有方法简单,直观性强,数据易处理等优点,而且使学生能够运用普物实验手段,认识半导体二极管这一重要特性,它是大学低年级可以开设的基础实验之一,但是如按课本上的要求测量,误差很大(只有理论值的一半左右),达不到比较满意的效果,本文通过分析误差产生的主要根源,谈谈原实验方案的弊端及改进意见。
关键词
二极管
伏一安特性
伏安法
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
含氧等离子体对低温CVD沉积SiO2钝化性能的改善
被引量:
1
2
作者
张国栋
孙维国
机构
洛阳光电技术发展中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期543-545,548,共4页
文摘
对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论 ,提出了SiO2 钝化膜中悬键形成的一种新模式 ;为进一步减少界面陷阱及界面态 ,采用含氧原子的等离子体来处理芯片 ,取得了良好效果 ,含氧等离子气氛由N2 O气体高频电离获得。处理后的InSb探测器芯片I V特性明显好转 ;Au/Cr SiO2 InSbMIS结构的C V曲线下降坡明显变陡 ,曲线回滞明显变小 ;红外吸收谱表明SiO2 钝化膜中 H键及 OH键的数量明显减少。
关键词
等离子体
锑化铟探测器
二氧化硅
伏一安特性
电容一电压
特性
红外吸收谱
Keywords
plasma
InSb detector
SiO2
I-V characteristic
C-V characteristics
IR spectroscopy
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
浅谈伏安法测二极管的特性
孙新义
杨德甫
《物理实验》
1993
4
下载PDF
职称材料
2
含氧等离子体对低温CVD沉积SiO2钝化性能的改善
张国栋
孙维国
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
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