优化凿孔极化码在NAND FLASH中的纠错技术研究

为了改善NANDFLASH(闪存)数据存储的可靠性,提出一种基于优化巴氏参数的凿孔极化码编码方法。使用非均匀存储感知法提高感知精度,计算存储单元重叠区域的相邻边界值和感知电压,并根据得到的感知电压和闪存单元的概率密度函数计算对数似然比(LLR),再将存储单元中各比特的LLR值拟合成高斯分布并得到方差,从而迭代计算每个存储单元位的巴氏参数。并且,根据闪存页容量和元数据信息构造码率匹配的凿孔极化码,使之可以更好地应用于闪存中。仿真结果表明,该方法构造的极化码性能优于蒙特卡洛和高斯近似构造方法,当采用SCL(L=4)译码算法时,在不同的凿孔码字下相比于高斯近似法分别有约2.32、2.1、1.7dB的性能增益,相比于蒙特卡洛法分别有约0.12、0.13、0.15dB的性能增益。研究表明,使用优化巴氏参数法构造的凿孔极化码应用于闪存能够提升纠错性能。当闪存擦除单元的标准差减小时,极化码的纠错性能也会提升。