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Mg_2Si基热电材料的稀土掺杂优化 被引量:1
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作者 王丽七 孟庆森 +1 位作者 陈瑞雪 樊文浩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B06期395-397,共3页
采用机械研磨-电场激活压力辅助合成(FAPAS)技术,快速合成了稀土Sc和Y掺杂的Mg2Si基热电材料,所得试样组织均匀、致密,试样的平均晶粒尺寸为1.5~2μm,微量稀土元素不改变基体材料的组织形貌。分析表明两种稀土元素均在不同程度改善热... 采用机械研磨-电场激活压力辅助合成(FAPAS)技术,快速合成了稀土Sc和Y掺杂的Mg2Si基热电材料,所得试样组织均匀、致密,试样的平均晶粒尺寸为1.5~2μm,微量稀土元素不改变基体材料的组织形貌。分析表明两种稀土元素均在不同程度改善热电性能,其中掺杂0.427%(摩尔分数)Sc和0.173%(摩尔分数)Y的试样的综合电功率因子在378和468K分别达到未掺杂试样的2.67和2.03倍;掺杂0.173%(摩尔分数)Y的试样的热导率相对于未掺杂降低了20%,其无量纲热电优质系数ZT相对于后者提高了1.30倍,ZTmax为0.23,明显高于未掺杂试样的0.18。 展开更多
关键词 稀土 MG_2SI 热电材料 掺杂优化 FAPAS
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ITO气敏材料的制备和掺杂工艺的研究进展 被引量:1
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作者 封皓 陈敬超 周晓龙 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2011年第1期212-214,共3页
主要介绍了ITO薄膜的制备工艺和掺杂优化工艺,例举了两种气敏机理的推论以及掺杂优化的机理。指出今后ITO气敏材料的气敏机理将成为研究重点,新形态ITO材料的研发将成为主要发展方向。
关键词 ITO气敏材料制备工艺掺杂优化气敏机理掺杂机理新形态
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锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计 被引量:4
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作者 龚晓霞 苏玉辉 +2 位作者 雷胜琼 万锐敏 杨文运 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第4期232-235,共4页
通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件。实验所得典型的R0A为值4.7×103~3×103Ω·cm2,... 通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深。利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件。实验所得典型的R0A为值4.7×103~3×103Ω·cm2,量子效率为0.65~0.7之间。实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合。此工作对离子注入工艺有一定的参考价值。 展开更多
关键词 锑化铟 LSS理论 优化掺杂 离子注入 理论计算
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逆导型IGBT技术发展综述 被引量:3
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作者 吴郁 刘晨静 +3 位作者 金锐 王耀华 刘钺杨 温家良 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期3221-3230,共10页
由于逆导型IGBT(RC-IGBT)具有尺寸小、功率密度高、成本低等诸多优点,因此引起人们的广泛关注和研究。侧重适用于电网应用的高压器件,回顾了RC-IGBT的技术发展,包括原始结构和工作原理、回跳问题的解决、背面掺杂优化、二极管性能优... 由于逆导型IGBT(RC-IGBT)具有尺寸小、功率密度高、成本低等诸多优点,因此引起人们的广泛关注和研究。侧重适用于电网应用的高压器件,回顾了RC-IGBT的技术发展,包括原始结构和工作原理、回跳问题的解决、背面掺杂优化、二极管性能优化等方面的内容。基于引导IGBT区结构,还进一步综述了RC-IGBT的功耗优化、关断软度、短路坚固性、二极管浪涌电流和温度特性等性能优势。各方面的技术进步,有望使RC-IGBT在包括电网应用的各种领域中充分发挥其性能优势。 展开更多
关键词 逆导型IGBT 回跳现象 引导IGBT区 掺杂优化 性能优势 高电压
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基于MOCVD生长的4.6μm中红外量子级联激光器 被引量:4
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作者 庞磊 程洋 +5 位作者 赵武 谭少阳 郭银涛 李波 王俊 周大勇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第6期179-184,共6页
中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景,采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点。报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器,波长... 中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景,采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点。报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器,波长4.6μm,采用MOCVD生长应变补偿的InGaAs/InAlAs材料。实验探究了不同掺杂对芯片性能的影响,通过优化掺杂浓度提升了器件性能。腔长3 mm,脊宽13μm的芯片在288 K的温度下,脉冲模式下最大峰值功率达到722 mW,电光转换效率和阈值电流密度分别为6.3%和1.04 kA/cm^(2),在连续模式下功率输出达到364 mW。文中成功实现了用MOCVD生长中红外量子级联激光器,为中红外波段的激光应用提供了技术支撑。 展开更多
关键词 中红外 量子级联激光器 金属有机物化学气相沉积 掺杂优化 连续波工作
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Optimization of the Doped Ablator Layers for the Plastic Ignition Capsule
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作者 谷建法 戴振生 +5 位作者 李永升 宋鹏 叶文华 邹士阳 郑无敌 朱少平 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2015年第2期236-242,共7页
The paper investigates theoretically the optimization of the doped ablator layers for the plastic ignition capsule. The high-resolved one-dimensional implosion simulations show that the inner pure CFI layer of the Si-... The paper investigates theoretically the optimization of the doped ablator layers for the plastic ignition capsule. The high-resolved one-dimensional implosion simulations show that the inner pure CFI layer of the Si-doped design is excessively preheated by the hard x-ray, leading to the unstable ablator-fuel interface compared to the Ge-doped capsule. This is because that the Si K-shell absorption edge (1.8 keV) is higher than the Ge L-edge (1.3 keV), and Si dopant makes more hard x-ray penetrate through the doped ablator layers to preheat the inner pure CH layer. So an optimization of the doped ablator layers (called "Si/Ge capsule") is performed: an Si-doped CH layer is placed next to the outer pure CH layer to keep the high implosion velocity; next to the Si-doped layer is a thin Ge-doped layer, in order to absorb the hard x-ray and protect the inner undoped CH-layer from excessively preheating. The simulations show that the Si/Ge capsule can effectively improve hydrodynamic stability at the ablator-fuel interface while keeping the high implosion velocity. 展开更多
关键词 doped ablator tayer optimization ablator-fuel interface hydrodynamic instability ignition capsuleimplosion
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