IR推出可靠的超高速1200 V IGBT可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列。

Vishay发布新款快恢复二极管，减少传导损耗并提高效率

Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机模块、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。VishaySemiconductors的”H”和”U”系列器件以晶圆形式的裸晶供货，它们具有超低正向电压和反向恢复电荷，能够降低损耗，提高效率，同时这些器件的极软的关断动作能够在所有开关条件下将过压最小化。

基于LCC理论的电网损耗及其传导模型

全寿命周期成本(LCC)分析是全寿命周期管理理念的核心.文中针对电网及其主设备开展了LCC精细化模型研究,在LCC模型中增加了损耗传导成本项,并引入了基于通货膨胀率预测的经济学修正方法.基于电网的特点(即总损耗的增加会引起发电侧成本的增加、下级电网损耗的增加会导致上级电网建设综合投资增加),提出了电网损耗传导模型,并研究了损耗传导成本在LCC中占比的计算方法.通货膨胀率预测采用差分自回归移动平均模型.以典型电网为例,基于上述LCC模型研究分析了电网各环节的损耗分布,提出了配电网节能的必要性和重要性.最后开展了损耗传导成本对电网LCC计算结果影响的实例分析,验证了损耗传导模型的实用性和工程应用价值.

基于微扰的微波陶瓷介质损耗测试研究

基于经典微扰理论,以平行板开路型介质谐振器为研究对象,阐述介质谐振器与材料介电参数的内在联系,利用计算机控制网络分析仪进行自动测试.结果表明:融入微扰法的思想,测试得到的介质损耗角正切值比用近似方法所得值更加准确.对于低介质损耗材料的测试,不能忽略系统传导损耗的影响,进一步说明理论分析与实验的一致性,为研究使用微波介质陶瓷提供参考.

对大功率IGBT模块损耗的研究

大功率IGBT模块损耗的确定是三相PWM变流器设计的一个关键参数。文中对两种类型转换器的功率半导体损耗进行了完整的分析计算。所提出的计算基础是将大功率IGBT的损耗简化为传导损耗和转换损耗。这种近似计算方法有助于预测和进一步研究两种变流器的功率IGBT的损耗性能。仿真计算结果指出了大功率IGBT损耗与变流器类型、工作点和脉冲宽度调制度的相关性,证明了所提出的计算方法的有效性。

LLC谐振DC/DC变换器调制性能分析

LLC谐振变换器具有效率高、体积小、损耗低等优点。针对基于LLC谐振的DC/DC转换器,在分析其工作原理的基础上,设计LLC谐振DC/DC变换器调制策略,利用PSIM 6.0软件对脉宽调制和脉冲位置调制这两种主要调制控制方案的闭环性能、频域性能和传导损耗等性能指标进行了详细的分析。在这两种调制控制方案中,半桥逆变器的两个开关管均由死区时间为250 ns的方波脉冲进行控制,从而避免2个开关管的短路。通过仿真实验结果表明,当负荷变化范围很大时,脉冲位置调制方案在高输入电压下具有更好的频率选择性能,因此更加适用于DC/DC变化器的设计,从而提高功率转化系统的综合性能。

恒功率开关整流模块采用的谐振变比技术

着重研究典型的含功率因数校正电路的整流模块所采用的各种AC-DA电压变换方式,这些变换方式采用不同的隔离式DC-DC变换电路,通过计算可以分析出各种变换方式在高频交流源阻抗上所产生的传导损耗。当高频交流电压变换范围由n∶1增至n∶1.45时,要求传导损耗最小。在DC-DC变换电路中,采用可连续调节变比的电子式变压器,既没有滑动的机械触点,也没有饱和的磁芯。

用于水下电子声学换能器技术透声材料的橡胶配件的研究及其老化特性(二)

对于有效的消除回声参数，R和T都必须接近于0。术语称之为反声衰减（ER）和传导损耗（TL）。

IR推出增强型25V及30VMOSFET

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新M0s—FET系列采用了IR经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻（RDS（on）），并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。除了D—PAK、I—PAK和SO-8封装之外，

飞兆半导体推出60V PowerTrench MOSFET器件

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC—DC转换器的整体效率。

飞兆推出新低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列

飞兆半导体开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞兆半导体DPAK判装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET的三分之一（0．6-1．20hm），能将满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小，并满足这些快速转换的照明设计的系统效率要求。

元件／连接器

Vishay TrenchFET第三代功率MOSFET vishay发布采用新型p通道TrerrchFET第三代技术首款器件Si7137DP，该20VP通道MOSFET具备业内最低的导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。Si7137DP将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业／通用系统中的负载切换应用。

飞兆半导体Field Stop Trench IGBT

飞兆半导体公司日前推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGAl5N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用FieldStop（场截止）结构和抗雪崩的Trenchgate（沟道栅）技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。

J/K方法:选择最佳MOSFET的技巧

对于电源供应设计人员而言,选择正确的MOSFET相当困难,MOSFET有数千种,而计算切换MOSFET的电源耗损等式再计算上相当费时。是否有更快速有效的方法可用于测试或更深入的分析？能够快速找出适用MOSFET，让设计人员仅需试用特定几项装置或运用延伸的模型。本文介绍的J／K比率方法，可将复杂的电源转换器的功率级简化为单纯的切换和传导损耗比率，使得设计人员能够针对特定应用，选择可达到最高效率的MOSFET。

面向动态ORing和热插拔应用的MOSFET

IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，可提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型值为0．5m（2），同时kgD2PAK的占位面积缩小60％，高度缩小85％。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，

设计待机功耗低于1W的电源

前言 在过去二十多年里,家庭和办公电子设备的数量与种类迅速增长.电子设备的复杂度和性能也在不断提升.增强的功能要求这些设备即使在用户关断电源的情况下,仍保持一定的功能性.以家用电视机为例,二十年前,电视机的关断机制通常是利用安装在音量控制轴上的旋扭,以旋转方式关断系统的电源.如今,这个开关已被遥控装置所替代.当然,当电源关断时电视机仍处于"启动"状态,并以红外接收器接收开启电视机的指令.其它多种设备也是如此,如电脑、传真机、机顶盒和微波炉等.

超高效率600V整流器

Qspeed 600V H系列PFC二极管不仅拥有更低的反向恢复电荷（QRR），而且在传统的硅二极管中实现了极高的转换效率。Qspeed 600V H系列的3A-12A产品拥有更低的温度系数，能在高温下将其转换损失降至最低。除此之外，还可提供更低的正向电压降低传导损耗。

飞兆60VMOSFET的首款器件FDMS86500L面市

DC—DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。

Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP，该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装，具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。

双向IGBT开关在矩阵变换器中的应用

双向IGBT模块是实现高频矩阵变换器极为有效的方法。略不同于硬开关PWM变换器,矩阵变换器中的开关和传导损耗取决于所选的调制策略。本文介绍了一种由诺丁汉大学推导的平均损耗的计算公式。测试一个使用1200V,200A的双向模块实现的三相到单相的构造,得到的波形说明了矩阵变换器的实际操作以及可能会出现的输出电流纹波。