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玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象 被引量:1
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作者 靳瑞敏 卢景霄 +2 位作者 冯团辉 王海燕 张丽伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期104-106,共3页
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-S i:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右。
关键词 PECVD法 非晶硅薄膜 传统炉退火 量子态 晶粒大小
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