利用示波器精确测量传输线延迟时间

在快脉冲信号测量和传输线故障诊断中,常用到精确的传输线延迟时间。论文介绍一种用示波器精确测量传输线延迟时间的方法,并介绍了用示波器诊断传输线故障点的方法,在实际工作中得到成功应用。在遭遇"中国南方雪灾"等类似问题时,传输线故障诊断方法将对快速查找和修复电力线路、通讯电缆等有很大的帮助。

数字通道传输延迟时间测量方法研究

在集成电路测试领域,传输延迟时间tPD是一个非常重要的参数,其不仅反映集成电路对信号的响应速度,也是集成电路测试系统交流参数测量准确的重要影响因素。详细分析了集成电路测试系统传输延迟时间产生的原因,及其对待测器件交流参数测量结果的影响。提出了基于时域反射技术的集成电路测试系统数字通道传输延迟测量方法,并在泰瑞达J750EX集成电路测试系统上进行了实验验证。通过对实验数据的分析,表明该方法能有效测量数字通道传输延迟时间,提高集成电路测试系统交流参数测量准确度。

CMOS门电路延迟时间经验模型与估算

本文讨论了CMOS门电路延迟时间两种手工分析模型,介绍了门延时经验模型的建立及使用方法,并与Hspice模拟结果进行了比较。手工分析模型和经验模型可用于CMOS门电路延时近似分析和计算,具有一定的实用性。

发动机空燃比传输特性的研究

为了提高发动机的动力性、经济性和降低尾气排放，必须对发动机的空燃比（AFR）进行反馈控制，而发动机的AFR传输特性对AFR控制精度有很大影响。通过对发动机AFR传输特性及其影响因素进行分析，提出了一种标定传输延迟时间的试验方法，在此基础上利用自行开发的试验系统，对发动机的AFR传输延迟时间进行了标定。

基于时间效能的一种通信链路干扰评估模型

对采用高性能自适应编码调制(ACM)的通信链路干扰进行评估,提出了可度量的时间效能评估指标。在分析基于延迟传输时间的评估原理之后,推导了三种定量的评估计算模型。典型数值仿真结果说明了模型的合理性和有效性,最后给出的实施方案保证了评估模型对实际链路干扰评估的可行性。

兼容TTL电平的高速CMOS端口电路设计

基于0.8μm CMOS工艺设计了全新的兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的高速CMOS端口电路,该端口电路不仅可以实现与TTL兼容的输入电平,还具有传输延迟时间短的优点。电路工作温度为-55~125℃。电路在工作电压为5V时,输入翻转电平为1.3V,传输上升延迟时间小于1ns,下降延迟时间小于1ns。

高能飞秒激光系统中空间滤波器的研究和设计

由于透镜传输时间延迟效应(PTD),飞秒激光脉冲经过空间滤波器产生脉冲波前变形。讨论了用双胶合透镜或双分离透镜代替空间滤波器中的单透镜,以消除或减小PTD效应,设计了适用于飞秒激光装置的空间滤波器。

光纤CAN网络节点数计算方法

为电动汽车通信网设计了一种中继型节点的光纤CAN(Fibre CAN)环型总线网络.采用塑料光纤(POF)作为传输介质,用波长为660nm的红光光电收发器件实现光电转换.在对中继型节点的传输延迟进行详细的分析后,结合CAN协议定义的位周期,给出了基于传输延时的网络最大节点数的计算方法.并对该方法进行了实验验证,实验结果与理论计算具有良好的一致性,表明该方法的有效性.

基于SimEvents/Stateflow的CTCS-3级列控系统车地无线通信子系统建模与分析

根据CTCS-3级列控系统中无线通信子系统的分层结构和其具有随机性的特点,采用Matlab软件中SimEvents与Stateflow相结合的方式实现车地无线通信过程的建模与仿真,分析安全连接建立时间和不同长度无线应用消息传输延迟时间。结果表明:无线通信子系统安全连接建立时间符合《CTCS-3级列控系统GSMR网络需求规范》的要求,并且具有一定的安全余量;仿真得到不同长度的无线应用消息传输延迟时间,可为列控系统车地无线通信的实时性分析提供参考;建模方法简洁高效,模型能够较好地描述系统特性,仿真结果可为列控系统车地无线通信技术规范的完善、系统的设计与实现提供数据支持。

通用空空导弹ACMI毁伤评估仿真模型

空空导弹飞行速度快,在系统传输延迟时间内,飞行距离往往大于战斗部的威力半径,难以确定目标机的毁伤情况。可以通过空战演习训练(ACMI)系统能大幅提升空战作战效能,在安全条件下,一般采用仿真模型代替实弹,进行毁伤评估。根据空空导弹飞行力学原理,建立导弹运动方程。为了准确进行毁伤评估,提出了计算导弹与目标最小距离的两种方法,实现延迟时间内完成导弹毁伤评估。最后给出评估的具体条件,建立模型进行仿真。仿真结果证实了模型的合理性和可行性。

一种高速全加器运算单元

对集成芯片中一种常用单元电路——全加器,进行了结构和时延性能分析。通过运用布尔代数基本定律、定理,对全加器和函数进行全面处理,提取和函数最优化函数式。根据优化函数式,设计了高速全加器单元电路。这种电路与传统全加器单元电路相比,不仅结构简单,有利于集成,同时,由于电路传输延迟时间小,运算速度快。

高性能CMOS全加器设计

全加器是数字信号处理器、微处理器中的重要单元,它不仅能完成加法,还能参与减法、乘法、除法等运算,所以,提高全加器性能具有重要意义。本文分析了两种普通全加器,运用布尔代数对全加器和函数、进位函数进行全面处理,提取了和函数、进位函数优化函数式。根据最优化函数式,设计了高性能CMOS管级全加器单元电路。这种CMOS全加器电路与常用CMOS全加器电路相比,电路结构简单、芯片面积小、电路传输延迟时间小、运算速度快。

基于进位链优化方法的高速NCO设计

采用FPGA芯片进行数字信号处理时常需要数控振荡器(Numeric Control Oscillator,NCO)产生各种不同频率的时钟,然而随着工程中对NCO的工作频率需求的提高,实现NCO的加法器将会有过长的进位链,这样就限制了加法器的运行频率不能过高。为了解决这一限制与需求的矛盾,采用一种基于预进位链优化的改进方法。经过对无预进位NCO、一级预进位NCO和二级预进位NCO的时序分析和实测数据进行对比,结果表明这种方法产生的NCO频率指标满足设计要求,可以将NCO的工作频率提高70.53%。

对加法器CCS进位链的改进

介绍了一种对加法器CCS进位链的改进电路,并与没有进行改进的传统的CCS进位链电路进行比较。对这两种电路结构在同样的条件下用SPICE模拟。从实验结果中可以看到,4-bit的加法器单元的进位传输延迟时间缩短了34.39%,并且第4位和的传输延迟时间缩短了33.95%。

飞利浦DDR2存储模块

飞利浦电子公司(Philips Electroncis）针对高端服务器及先进计算的存储密集型应用推出新型高速寄存器系列。该系列针对DDR2 DIMM负载进行了优化，能精确控制传输至模块上的每一个DRAM信号，从而使新寄存器的DDR2寄存存储模块的性能达到最佳。据称飞利浦的寄存器速度极快，最大传输延迟时间(tPD)仅为1．8ns，超过了改善极限和高速运行的业界标准，是要求先进而可靠性能客户的理想选择。

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。

针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。

TTL数字集成电路使用常识

TTL集成电路，即晶体管与晶体管耦合逻辑电路，是用双极型晶体管集成在一块硅片上制成。国产TTL集成电路有T1000～T4000系列。T1000标准系列与国标CT54／74系列及国际SN54／74通用系列相同；T2000高速系列与国标CT54H／74H系列及国标SN54H／74H高速系列相同；T3000肖特基系列与国际CT54S／74S系列及国际SN54S／74S肖特基系列相同；T4000低功耗肖特基系列与国际CT54LS／74LS系列及国标SN54LS／74LS系列及国标SN54LS／74LS低功耗肖特基系列相同。54与74系列的区别主要在工作温度环境上。这几个系列的主要区别仅在于典型门的平均传输延迟时间和平均功耗这两个参数有所不同，其他电参数和外引线排列基本相同，可以互为代用。

最新模拟开关IC器件使用指南

一、模拟开关IC 我们将通断模拟信号的IC称之为模拟开关IC。当然它们也可以用来控制数字信号的通断。模拟开关可以控制直流信号、声音信号的通断,如果下点工夫在有些场合还可以处理图像信号。

基于变焦像传递的飞秒拍瓦激光系统色差补偿

高功率超短脉冲激光系统中,空间滤波器透射元件引入的色差会影响系统的聚焦功率密度。针对这一问题,提出一种具备动态调节能力的色差预补偿方案。该方案由正负透镜和反射系统构成共焦像传递系统,能够实现全系统色差的动态精确补偿。基于该方案为神光-II 5 PW(SG-II 5 PW)激光系统设计并搭建了色差预补偿光路。实验结果表明,通过精密调节该单元内部透镜间距能够精确补偿全系统的色差,显著提升系统峰值功率密度。经过色差补偿后,在SG-II 5 PW系统开展质子加速实验,获得了超过16 MeV的质子产额。