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基于Verilog-XL的传输晶体管逻辑模拟 被引量:1
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作者 裴志军 国澄明 姚素英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期38-41,共4页
随着集成电路集成度的持续增加,集成电路设计也越来越复杂,这使得设计验证愈来愈重要。模拟作为验证的重要手段在集成电路设计EDA系统中广泛采用,如Verilog-XL是Cadence EDA 系统工具箱中的优秀模拟器,可作为传输晶体管逻辑设计的有效... 随着集成电路集成度的持续增加,集成电路设计也越来越复杂,这使得设计验证愈来愈重要。模拟作为验证的重要手段在集成电路设计EDA系统中广泛采用,如Verilog-XL是Cadence EDA 系统工具箱中的优秀模拟器,可作为传输晶体管逻辑设计的有效模拟工具。 展开更多
关键词 Verilog-XL 集成电路 模拟 传输晶体管 硬件描述语言
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一种基于单电子晶体管的全加器电路设计
2
作者 吴刚 蔡理 +1 位作者 王森 李芹 《微计算机信息》 2009年第11期298-300,共3页
基于单电子晶体管的I-V特性和传输晶体管的设计思想,用多栅单电子晶体管作为传输晶体管,设计了一个由5个SET构成的全加器,相对于静态互补逻辑设计的全加器,本文设计的全加器在器件数量上大大减少,有利于大规模电路的设计。仿真结果表明... 基于单电子晶体管的I-V特性和传输晶体管的设计思想,用多栅单电子晶体管作为传输晶体管,设计了一个由5个SET构成的全加器,相对于静态互补逻辑设计的全加器,本文设计的全加器在器件数量上大大减少,有利于大规模电路的设计。仿真结果表明,本文设计的全加器电路具有高速与低功耗的特性。 展开更多
关键词 单电子晶体管 传输晶体管:全加器
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面向低功耗的全加器优化设计 被引量:5
3
作者 张爱华 夏银水 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期588-591,共4页
在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了基于传输管逻辑的低功耗全加器。电路采用对称结构,平衡了电路延迟,消除了毛刺,降低了功耗。经PSPICE在0.24μm工艺下模拟仿真,与已发表的全加器电路的性能进行比较。测试结果表明,改进的新... 在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了基于传输管逻辑的低功耗全加器。电路采用对称结构,平衡了电路延迟,消除了毛刺,降低了功耗。经PSPICE在0.24μm工艺下模拟仿真,与已发表的全加器电路的性能进行比较。测试结果表明,改进的新全加器功耗可减小77.5%,同时能耗也是最低的。 展开更多
关键词 低功耗 全加器 传输晶体管
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低功耗全加器的电路设计 被引量:4
4
作者 张爱华 夏银水 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期534-537,共4页
在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了基于传输管逻辑的低功耗全加器.所建议的电路采用对称结构平衡电路延迟,削减了毛刺,降低了功耗.采用TSMC0.24μmCMOS工艺器件参数情况下,对所设计的低功耗全加器进行PSPICE模拟.模拟结果表明,... 在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了基于传输管逻辑的低功耗全加器.所建议的电路采用对称结构平衡电路延迟,削减了毛刺,降低了功耗.采用TSMC0.24μmCMOS工艺器件参数情况下,对所设计的低功耗全加器进行PSPICE模拟.模拟结果表明,在3.3V和1.8V电源电压下,与已发表的全加器相比,所建议的全加器电路功耗改进可分别高达58.3%和60.8%. 展开更多
关键词 低功耗 全加器 传输晶体管
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DSP中低功耗全加器的改进设计 被引量:1
5
作者 纪金国 陶建中 刘旭 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期672-675,共4页
在充分研究现有典型全加器结构的基础上,提出了一种结合传输管逻辑和传输门逻辑特点的新型全加器。该全加器采用对称的XOR/XNOR结构,减少了电路延迟,降低了功耗。基于0.18μm CMOS工艺,采用HSPICE对电路进行仿真。结果表明,与典型结构... 在充分研究现有典型全加器结构的基础上,提出了一种结合传输管逻辑和传输门逻辑特点的新型全加器。该全加器采用对称的XOR/XNOR结构,减少了电路延迟,降低了功耗。基于0.18μm CMOS工艺,采用HSPICE对电路进行仿真。结果表明,与典型结构全加器相比,提出的全加器在电路功耗和延迟功耗积(PDP)方面的改进分别为22%和27%。 展开更多
关键词 全加器 传输 传输晶体管 数字信号处理
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具备过压保护功能的单/双节锂离子和磷酸铁锂电池充电器
6
《今日电子》 2010年第3期54-54,共1页
MCP73113、MCP73114和MCP73213锂离子(Li-Ion)电池及MCP73123和MCP73223磷酸铁锂(LiFePO4)电池充电器具备高精度电压调节功能和集成的传输晶体管。
关键词 电池充电器 磷酸铁锂 锂离子 保护功能 双节 过压 传输晶体管 调节功能
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CP73871:充电管理控制器
7
《世界电子元器件》 2008年第9期51-51,共1页
Microchip推出MCP73871充电管理控制器。这款具备智能充电管理功能的锂离子/锂聚合物充电器可通过交流一直流适配器或USB端口同步进行设备充电及供电。新的单芯片充电器配备集成传输晶体管,提供多种电池和终端电压选择,适用于复杂且... Microchip推出MCP73871充电管理控制器。这款具备智能充电管理功能的锂离子/锂聚合物充电器可通过交流一直流适配器或USB端口同步进行设备充电及供电。新的单芯片充电器配备集成传输晶体管,提供多种电池和终端电压选择,适用于复杂且空间受限的便携式应用。 展开更多
关键词 管理控制器 充电器 MICROCHIP USB端口 传输晶体管 便携式应用 锂聚合物 充电管理
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具备过压保护功能的单/双节锂离子和磷酸铁锂电池充电器
8
《今日电子》 2009年第11期67-67,共1页
MCP73113、MCP73114和MCP73213锂离子(Li—Ion)电池及MCP73123和MCP73223磷酸铁锂(LiFeP04)电池充电器具备高精度电压调节功能和集成的传输晶体管。
关键词 电池充电器 磷酸铁锂 锂离子 保护功能 双节 过压 传输晶体管 调节功能
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MCP73xxx:电池充电器
9
《世界电子元器件》 2009年第10期38-38,共1页
Microchip推出两个具有过压保护(OVP)功能的充电管理控制器系列,可防止输入电压尖峰造成电池充电器电路的过热和损坏。MCP73113、MCP73114和MCP73213锂离子电池及MCP73123和MCP73223磷酸铁锂(LiFeP04)电池充电器具备高精度电压调... Microchip推出两个具有过压保护(OVP)功能的充电管理控制器系列,可防止输入电压尖峰造成电池充电器电路的过热和损坏。MCP73113、MCP73114和MCP73213锂离子电池及MCP73123和MCP73223磷酸铁锂(LiFeP04)电池充电器具备高精度电压调节功能和集成的传输晶体管。这些特点的结合使便携式电子设备设计的体积更小、更安全,而且运行时间更长,适用于消费类、医疗和工业市场。 展开更多
关键词 电池充电器 MICROCHIP 电压尖峰 管理控制器 传输晶体管 锂离子电池 过压保护 电器电路
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CMOS图像传感器像素区离子注入角度与图像延迟关系的研究
10
作者 王劲松 牛健 田三河 《现代信息科技》 2017年第1期89-90,共2页
图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数。在像素隔离区域中,不同的离子注入角度会对电路中TX器件(传输门晶体管)的电性参数造成影响,并将会导致产品图像的延迟。由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之... 图像延迟是CMOS图像传感器产品的一个非常重要的评估参数。在像素隔离区域中,不同的离子注入角度会对电路中TX器件(传输门晶体管)的电性参数造成影响,并将会导致产品图像的延迟。由于批量高能离子注入机台椎体效应会导致在同一片晶圆之内离子注入角度的不同,本文通过针对像素隔离区域不同的离子注入角度对图像延迟的关系进行研究,优化了离子注入的角度均匀性,改善在同一片晶圆之内图像延迟的一致性。 展开更多
关键词 图像延迟 TX器件(传输晶体管) 离子注入角度
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Study on Heat Dissipater for High-Power Thyristors in Explosion-Proof Shell
11
作者 宋正昶 李传统 《Journal of China University of Mining and Technology》 2003年第2期126-130,共5页
A new type water-cooled heat dissipater for multiple high-power thyristors in explosion-proof shell used in coal mine was designed, and then, the numerical computation of the three-dimensional steady-state temperature... A new type water-cooled heat dissipater for multiple high-power thyristors in explosion-proof shell used in coal mine was designed, and then, the numerical computation of the three-dimensional steady-state temperature distributions under different working conditions for cooling core was conducted in order to understand in detail the heat transfer performance. Based on the computation results, the temperature differences and the maximum heat transfer rates were given. These results of the study on the heat dissipater lay a basis for optimising its structure design and guiding its operation. 展开更多
关键词 THYRISTOR heat dissipater heat transfer performance numerical computation
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改善双极电流吸收器的误差补偿方法
12
作者 Christian de Godzinsky Planmeca Oy 《电子设计技术 EDN CHINA》 2006年第10期103-104,共2页
关键词 误差补偿方法 基极电流 双极电流吸收器 功率MOSFET 传输晶体管 电流增益 参考电压
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可提供任意极性电压和电流的四象限电源
13
作者 Jon Munson 《电子设计技术 EDN CHINA》 2004年第5期109-110,共2页
常规的电源只能工作于第一象限,为负载提供正的输出电压和电流;或者,通过故意将输出误接,作为"负"电源静态地工作于第三象限.但是,常规的电源既不能工作在第二象限(例如,作为负电源的可调负载),也不能工作于第四象限(例如用... 常规的电源只能工作于第一象限,为负载提供正的输出电压和电流;或者,通过故意将输出误接,作为"负"电源静态地工作于第三象限.但是,常规的电源既不能工作在第二象限(例如,作为负电源的可调负载),也不能工作于第四象限(例如用特定恒流进行电池放电测试).此外,它还不能作为负载条件或控制输入的函数,在各种工作模式之间进行天衣无缝的转换.图1所示电路采用了"互补的"传输晶体管配置,具有类似普通音频功率放大器的输出拓扑结构,可以实现全四象限功能.这一互补部分在较低电流设计中可以是基本的运算放大器输出端,而在涉及较大功率的情况下,可以使用外接功率MOSFET.当采用LT1970功率运算放大器来控制电路的工作时,由于它具有内部闭环限流特性,控制各种工作模式下的输出就变得非常简单. 展开更多
关键词 四象限电源 电路原理 LT1970 传输晶体管 垒四象限
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Ladder-like metal oxide nanowires: Synthesis, electrical transport, and enhanced light absorption properties 被引量:4
14
作者 Bo Liang Hongtao Huang +6 位作者 Zhe Liu Gui Chen Gang Yu Tao Luo Lei Liao Di Chen Guozhen Shen 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第2期272-283,共12页
Transparent metal oxide nanowires (NWs) have attracted intense research interest in recent years. We report here the synthesis of interesting ladder-like metal oxide NWs, including In2O3, SnO2, ZnO, and Ga2O3, via a... Transparent metal oxide nanowires (NWs) have attracted intense research interest in recent years. We report here the synthesis of interesting ladder-like metal oxide NWs, including In2O3, SnO2, ZnO, and Ga2O3, via a facile chemical vapor deposition (CVD) method. Their structural features and growth mechanism are demonstrated in detail by using the ladder-like In2O3 NWs as an example. Single ladder-like NW-based field-effect transistors (FETs) and photodetectors (PDs) of SnO2 were fabricated in order to investigate their electrical transport and light absorption properties. Compared with straight NW-based FETs which operate in an enhancement mode (E-mode), FETs build on ladder-like NWs operate in a depletion mode (D-mode). The ladder-like NWs also give higher carrier concentrations than conventional single nanowires. Finite-difference time-domain (FDTD) simulations have been performed on the ladder-like NWs and the results reveal a great enhancement of light absorption with both transverse-electric (TE) and transverse-magnetic (TM) polarization modes, which is in good agreement with the experimental results. 展开更多
关键词 IN2O3 SnO2 NANOWIRES field-effect transistors PHOTODETECTORS finite-differencetime-domain
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Contactless probing of the intrinsic carrier transport single-walled carbon nanotubes 被引量:1
15
作者 Yize Stephanie Li Jun Ge +4 位作者 Jinhua Cai Jie Zhang Wei Lu Jia Liu Liwei Chen 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期1623-1630,共8页
Intrinsic carrier transport properties of single-walled carbon nanotubes have been probed by two parallel methods on the same individual tubes: The contactless dielectric force microscopy (DFM) technique and the co... Intrinsic carrier transport properties of single-walled carbon nanotubes have been probed by two parallel methods on the same individual tubes: The contactless dielectric force microscopy (DFM) technique and the conventional field-effect transistor (FET) method. The dielectric responses of SWNTs are strongly correlated with electronic transport of the corresponding FETs. The DC bias voltage in DFM plays a role analogous to the gate voltage in FET. A microscopic model based on the general continuity equation and numerical simulation is built to reveal the link between intrinsic properties such as carrier concentration and mobility and the macroscopic observable, i.e. dielectric responses, in DFM experiments. Local transport barriers in nanotubes, which influence the device transport behaviors, are also detected with nanometer scale resolution. 展开更多
关键词 single-walled carbon nanotubes electronic transport dielectric force microscopy field-effect transistor carrier density carrier mobility
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Remove the water-induced traps toward improved performance in organic solar cells
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作者 Mumin Shi Tao Wang +10 位作者 Rui Sun Qiang Wu Dandan Pei Hui Wang Wenyan Yang Wei Wang Yao Wu Guohua Xie Tao Wang Long Ye Jie Min 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第11期2629-2644,共16页
Clusters of water molecules have low ionization energies because of stabilization of charge from the dipole moment of surrounding molecules,and thus can form potential traps resulting in the undesirable photovoltaic p... Clusters of water molecules have low ionization energies because of stabilization of charge from the dipole moment of surrounding molecules,and thus can form potential traps resulting in the undesirable photovoltaic performance in organic solar cells(OSCs).Herein,we demonstrated a solvent-water evaporation(SWE)strategy,which can effectively remove the water-induced traps that are omnipresent in photoactive layers,leading to a significant improvement in device performance.A higher power conversion efficiency of 17.10%and a better device photostability are achieved by using this SWE method,as compared with the untreated binary PM6:Y6 system(15.83%).We highlight the water-related traps as a limiting factor for carrier transport and extraction properties,and further reveal the good universality of the SWE strategy applied into OSCs.In addition,organic light-emitting diodes and organic field-effect transistors are investigated to demonstrate the applicability of this SWE approach.This strategy presents a major step forward for advancing the field of organic electronics. 展开更多
关键词 non-fullerene acceptor water-induced traps charge transport device stability organic semiconductors
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