传输电流法测量Bi2223/Ag多芯高温超导带材的交流损耗

利用传输电流法设计了一套高温超导体自场损耗测量系统，样品上负载的传输电流幅值可以达到１００Ａ，频串在 ０．５ Ｈｚ到１０００Ｈｚ之间任意可调。测量了 Ｂｉ２２２３／Ａｇ高温超导带材在７７Ｋ不同频率条件下的自场交流损耗，并将实验结果与Ｎｏｒｒｉｓ方程的预期值进行了比较。发现当传输电流的频率较低时，Ｂｉ２２２３／Ａｇ的交流损耗主要是磁滞损耗；而当频率较高时耦合损耗不能忽略。

SiGe HBT传输电流模型研究

基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGeHBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGeHBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.

超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系

在Ｎ－Ｓｉ〈１００〉衬底制作了１０ｎｍ超薄ＳｉＯ２作介质膜的ＭＯＳ结构．研究了温度从１００～４５０Ｋ电子从Ｓｉ界面积累层Ｆ－Ｎ隧穿超薄ＳｉＯ２的Ｉ－Ｖ特性及低场传输电流随温度的变化关系．研究结果表明：在较低的温度下，电流与温度基本无关；而在较高的温度下，电流随温度指数增加．为从理论上解释这些实验结果，认为在Ｆ－Ｎ隧穿电场范围，电流密度Ｊ１∝Ｆ２ｅｘｐ（－β／Ｆ），而在低场范围电流Ｊ＝Ｊ０＋Ｊ２，Ｊ２∝Ｆｅｘｐ（－Φ２／ｋＴ）．Ｊ０为低场漏电流．Ｊ１从实验数据可以求出，电子从Ｎ型Ｓｉ〈１００〉隧穿超薄ＳｉＯ２的势垒高度为３．１３ｅＶ．在较高温度下，因有效隧穿势垒随温度增加而线性地减少，使隧穿电流指数地增加，证实了Ｎ型Ｓｉ半导体费米能级随温度增加而下移的情形．Ｊ２是较高温度及低场下介质膜中热激活电子从一种孤立态到另一种孤立态的跳跃产生一种欧姆导电特性，并求得了电子热激活能Φ２约为０．１６３ｅＶ．

高温超导YBCO带材的交流传输电流损耗测量

文中对不同频率不同幅值的交变电流下高温超导体YBCO带材的交流传输损耗进行了实验研究。实验在77K下,对Superpower公司生产的SCS4050型号带材采用电测法通过锁相放大器进行了交流损耗值的测量,并将其工作电流为50Hz时的测量结果与Norris矩形模型估算值进行了对比,同时也给出了15Hz到300Hz不同频率下交流损耗测量结果的比较分析。

基于传输电流开关理论的电流型CMOS ADC电路设计

本文利用数字电路设计理论中的传输电流开关理论对A/D转换器的转换过程进行了分析，提出了仅基于该理论的电流型CMOS A/D转换器电路设计。与传统的A/D转换器电路设计比较，它避免了复杂的模拟信号处理部分电路，显著地简化了电路结构。结果表明该电路设计具有正确的逻辑功能。

我国研制出世界传输电流最大的高温超导电缆

目前世界上传输电流最大的高温超导电缆已在我国研制成功,并在河南中孚实业股份有限公司投入工程示范运行。近日,该超导电缆示范工程通过了科技部组织的技术验收。新采用的高温超导直流输电电缆是由中科院电工所与河南中孚公司等单位联合研制的。它长达360米,载流能力达到10千安。

我国研制出世界传输电流最大的高温超导电缆

近日，世界上传输电流最大的高温超导电缆已在我国研制成功，并投人工程示范运行，与相同容量的常规电力电缆相比，节能效果达到了65％以上。该超导电缆示范工程已通过了科技部组织的技术验收。

世界传输电流最大的高温超导电缆在河南成功投运

日前．长度达360m、载流能力达10kA的高温超导直流输电电缆在我国研制成功并在河南中孚实业股份有限公司顺利投入工程示范运行。作为到目前为止世界上传输电流最大的高温超导电缆、全球范围内首组实现工程示范运行的超导直流电缆．该超导电缆的成功研制实现了我国超导电缆技术的又一次重大突破．标志着我国在大容量超导电缆研制和运行技术上达到了世界领先水平．在国际应用超导技术发展中占有重要地位。

我国研制出世界传输电流最大的高温超导电缆

目前世界上二传输电流最大的高温超导电缆已在我国研制成功,并在河南巾孚实业股份有限公司投入工程示范运行。近日，陔超导电缆示范工程通过了科技部组织的技术验收。

我国研制出世界传输电流最大高温超导电缆节能65％

目前世界上传输电流最大的高温超导电缆已在我国研制成功．并在河南中孚实业股份有限公司投入工程示范运行。近日．该超导电缆示范工程通过了科技部组织的技术验收。新采用的高温超导直流输电电缆是由中科院电工所与河南中孚公司等单位联合研制的。它长达360米．载流能力达到10千安。

世界传输电流最大的高温超导电缆问世

正目前世界上传输电流最大的高温超导电缆已在我国研制成功,并在河南中孚实业股份有限公司投入工程示范运行。近日,该超导电缆示范工程通过了科技部组织的技术验收。新采用的高温超导直流输电电缆是由中科院电工所与河南中孚公司等单位联合研制的。它长达360米,载流能力达到10千安。研究人员围绕着大电流、长距离这一高温超导直流电缆的核心技术攻关。

我国研制出世界传输电流最大的高温超导电缆

世界上传输电流最大的高温超导电缆由中国科学院电工研究所与河南中孚实业股份有限公司等单位联合研制成功，并在河南中孚公司投入工程示范运行。该高温超导电缆示范工程已通过科技部组织的技术验收。

SiC MOSFET栅极漏电流传输机制研究

通过拟合变温电流-电压试验数据,研究了SiCMOSFET的正向和反向栅极漏电流传输机制。1)正向和反向高偏压下的栅电流由FN(Fowler-Nordheim)隧穿机制主导,得到SiC/SiO_(2)界面的电子势垒高度范围分别为2.58~2.69eV和3.02~3.26eV。2)正向高偏压下,栅电流随温度的升高而逐渐增大的原因可解释为,当温度升高时原子围绕其平衡点做随机运动,即鞍点的高度开始波动,由于FN隧穿模型中电流密度和势垒高度的指数关系,势垒高度降低时电流密度的增加趋势远大于势垒高度升高时电流密度的减少趋势,因此随着温度升高,栅电流逐渐增大,平均势垒高度降低。3)反向高偏压下,由于碰撞电离产生了大量的电子-空穴对,注入到结型场效应晶体管(JFET)区栅极氧化物中的空穴浓度增大,势垒高度进一步降低,因此反向高偏压下势垒高度随温度升高下降的速度更快。

光电耦合器电流传输比的噪声表征

光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.

辐照条件下光电耦合器的电流传输比模型

研究了辐照对光电耦合器各组成部分光电参数影响的机理,建立了光电耦合器在辐照条件下的电流传输比(CTR)模型。研究结果表明,辐照在发光二极管(LED)中引入界面态陷阱,产生非辐射复合,使LED的输出光功率下降;辐照改变了光敏二极管的少数载流子扩散长度,使光照产生的等效载流子数减少,进而使同样光照下的光电流减少;辐照在晶体管基极引入表面态陷阱,使基极复合电流增加,晶体管增益下降,从而使光电耦合器CTR下降。实验结果验证了所得理论模型的正确性。

全差分式电流控制电流传输器

提出了一个全差分式电流控制电流传输器电路（FDCCCII），分析了其工作原理．该全差分式电路具有电流控制功能，并能抑制偶次谐波和共模干扰．仿真结果表明，在0～30MHz的频率范围内，提出的电路满足FDCCCII理想端口特性、当偏置电流IB=1．3μA时，FDCCCII电路的功耗为5．69×10^-5W．据此电路设计了一个差分式电流控制电流模式滤波器，仿真结果证明该滤波器是可行的．

直流牵引供电系统电流跨区间传输对钢轨电位影响

直流牵引供电系统普遍存在钢轨电位过高的问题,现有模型仿真结果一般远小于现场实际值。对多区间多列车并列运行情况下电流跨区间传输现象进行分析,理论研究了电流跨区间传输对钢轨电位的影响。通过广州地铁8号线现场测试,验证了跨区间传输电流所占列车总牵引电流比例增加时,会导致钢轨电位增大。根据直流牵引供电系统实际特性,建立多供电区间多列车的钢轨电位动态分析模型,仿真分析了列车动态运行下直流牵引供电系统电流跨区间传输现象,对比分析不同电流跨区间传输情况下钢轨电位变化。现场测试及仿真结果表明,有效避免电流跨区间传输可大大降低线路钢轨电位幅值。

ITER超导电流传输线导体等效模量的预测

ITER超导磁体系统的超导电流传输线导体是由NbTi/Cu管内电缆超导体、辅助绝缘层和接地金属屏蔽层组成的层状复合材料结构。分别采用基于传统的复合材料理论和基于均匀化理论与复合材料损伤理论相结合的方法对超导传输线导体的等效模量进行了理论预测。这些结果为分析和计算超导电流传输线的应力和变形以及热性能提供了必要的参数。

一种轨对轨输入的低压低功耗CMOS电流传输器

基于CSMC 0.5μm工艺,在1.5 V供电电压下,设计了一种功耗低、电压跟随能力强和电流传输精度高的第二代正向电流传输器(CCII+).设计中,通过采用轨对轨的输入结构,有效地提高了信号摆幅;采用AB类推挽输出方式,达到了降低静态功耗和提高电流驱动能力的目的;应用密勒电容与调零电阻串联的补偿方式,有效地改善了CCII+的频率响应特性,并分析了AB输出级晶体管对静态电流的影响作用.HSPICE仿真结果表明,该CCII+的电压跟随误差仅0.0002 dB,-3 dB带宽达到11.7 MHz;电流传输误差为0.0007 dB,-3 dB带宽达到20 MHz,X端输入电阻低于28Ω,电流驱动能力为-0.62 mA^1.07 mA,电路功耗仅为105.68μW.