用于传输线特性分析的分数阶多极子模型

该文提出了用于计算具有圆形外导体复杂形状内导体的一类传输线特征阻抗的分数阶多极子模 型。该方法能够很好地处理导体棱角附近电位梯度的奇异性问题。通过具体算例证明了该方法的实用性.

在片Multi-TRL校准技术研究

美国NIST Multi-TRL校准技术实现在片散射参数(S参数)的精确校准测试,但国内尚未实现上述校准技术,致使在片测量准确度不能满足精密测试需求。在充分研究Multi-TRL算法并自主推导相关核心公式的基础上,开发Mutli-TRL校准软件CETC13,并对校准软件准确度进行验证。然后利用半导体工艺开展0.1~40 GHz Multi-TRL校准标准1312的设计和制作,通过衬底厚度、横截面的优化设计,该校准标准能有效抑制多模传输。CETC13校准软件与校准标准校准过的在片系统测量结果与国外相同等级的在片系统相比,在0.1~40 GHz频段内,传输幅度相差0.05~0.10 d B,相位相差0.05°~1.3°;反射幅度相差0.002~0.007,可解决国内在片S参数精确校准测试问题。

高精度片上电阻在高速发射器电路中的应用

本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法。该片上电阻器由三个 NMOS 管组成。通过控制各MOS 管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器。用 Cadence 公司的 SPECTRE 软件及 TSMC 公司的0.25μm CMOS 混合信号工艺库进行了电路仿真,结果表明有源电阻器能满足 USB2.0 规范对发射器电路输出阻抗45±10%?的要求。