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SoC中的伪双口RAM优化设计方法及应用
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作者 周清军 刘红侠 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期372-376,共5页
针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法.该方法将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,以保持对外接口不变.将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经... 针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法.该方法将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,以保持对外接口不变.将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经TSMC 28 nm HPM工艺成功流片,die size为10.7 mm×11.9 mm,功耗为17.2 W.测试结果表明,优化后的RAM面积减少了24.4%,功耗降低了39%. 展开更多
关键词 伪双口ram 单口ram 功耗优化 面积优化 接口转换逻辑
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