SoC中的伪双口RAM优化设计方法及应用

针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法.该方法将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,以保持对外接口不变.将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经TSMC 28 nm HPM工艺成功流片,die size为10.7 mm×11.9 mm,功耗为17.2 W.测试结果表明,优化后的RAM面积减少了24.4%,功耗降低了39%.