伪中性点连接型PWM整流器共模噪声抑制方法

三相PWM整流器因网侧电流可正弦化与能量可双向流动得到了广泛应用,随着变换器朝着高频化、小型化方向发展,其电磁干扰(EMI)问题日益凸显。在此提出基于电容式伪中性点构建低阻抗共模噪声回路的方法,可有效改善三相PWM整流器的共模干扰问题。首先构建了传统三相PWM整流器的寄生参数模型,在参数模型的基础上,建立了共模噪声等效模型并对其进行了简化,同时分析了共模噪声的传播路径。其次,提出了电容式伪中性点的构建原则,并根据选取的伪中性点构建了低阻抗回路,通过建立阻抗等效模型分析了共模噪声的抑制机理。最后,搭建了一台功率为650 W的实验样机,验证了基于伪中性点构建低阻抗回路抑制共模噪声理论的正确性与可行性。

谐振约束下含功率因数校正电容新能源集群最大渗透率接入研究

随着谐振频段不断提高,基于基频设计的功率因数校正电容C高频段容抗特性对电网等效阻抗的影响不可忽略,不同节点差异化非基波成分C容抗诱发谐振,成为新能源接入水平提高的瓶颈。该文以新能源集群接入IEEE 9节点区域微网为对象,首先建立区域微网阻抗模型,并通过全频段网侧阻抗特性波特图,分析功率因数校正电容C对网侧阻抗特性影响。接着,结合逆变器阻抗,基于源网阻抗适配原理揭示并网系统潜在谐振的机理。在此基础上,通过在并网点模拟谐波负值电容以抵消谐波容抗Z引入对并网系统稳定性的影响,提出无需增加额外检测电路的基于谐波负值伪电容的软件改进方案。在单节点新能源运行能力提高的基础上,以谐振为约束研究区域微网新能源集群渗透率最大接入节点的选取。最后,仿真和小规模实验验证了上述研究的正确性和可行性。

用于EEG信号传感的低功耗LC-ADC设计

与穿戴式设备相比,植入式脑机接口芯片具有检测精度高、抗干扰等优点,但实际患者使用时的终生长待机问题仍是系统设计的难点。本文提出一种用于植入式脑电信号传感的超低功耗水平交叉式模拟数字转换器电路,结构中采用MOS管伪电容以减少版图面积并简化1-bit电容型数字模拟转换器的模块结构;设计三输入静态比较器减少传统LC-ADC双比较器结构的冗余功耗;在逻辑控制模块加入双边延迟电路,使伪电容有效达到高低阈值电压,通过提高其充放电精度提升整体ADC系统的转换精度。采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺完成电路设计,Cadence仿真实验结果表明,在电源电压为0.9 V,输入为10 Hz正弦波的条件下,LC-ADC的平均功耗为662 nW,有效转换位数(ENOB)为5.49 bit,信噪比为(SNR)为34.83 dB,杂散动态范围(SFDR)为43.94 dBc。