3 MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究

针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3 MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量。结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的。通过等效^(60)Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的。高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试。结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退。利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式。根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据。

中间相沥青基石墨中缺陷的原子尺度

含有大量液晶分子的中间相沥青是制备轴向高导热炭/炭复合材料的重要原料,以中间相沥青基炭纤维为增强体与中间相沥青基体经液相浸渍法制备高导热炭/炭复合材料。中间相沥青基体随着热处理温度不断升高逐渐转化为包含诸多缺陷的石墨晶体,这些缺陷对复合材料的热传导有较大影响。利用透射电子显微镜研究中间相沥青基石墨晶体中的缺陷结构,尤其是不完整石墨晶体[11 0]晶带轴衍射谱中(10)列衍射斑点拉线的成因。结果表明,中间相沥青基体经3 000℃热处理后主要形成六角石墨,但六角石墨主体中夹杂数层菱形石墨,进一步发现,够成(10)列衍射拉线的缺陷主要包括两类:层错(基面间不同程度位移形成的位移缺陷)和晶界(相邻晶粒间相互旋转形成的旋转缺陷以及非共格晶界)。

Stability of Disclinations in Nematic Liquid Crystals

根据印射方法和拓扑的当前的理论的蠁 - ，在在 nematic 液体晶体的一个球形的粒子附近的 disclinations 的 thest 能力被学习。二个不同缺点在一个球形的粒子附近组织的 Weconsider：在粒子的北方或南极的 disclination 戒指和点缺点。我们在有弹性的理论计算这些不同缺点的免费精力。全部的坦率的免费精力密度能被划分成二部分，这被指出。一个人是主任的弄歪的精力密度在 thedisclinations 附近删除。其它自己是 disclinations 的免费精力密度，它被显示在缺点被专注并且拓扑地在单位被使量子化(k—k_(24 )) π / 2。Itis 面对僵绳展开弹性显示出那与强壮的 homeotropic 抛锚伴随一个粒子的配置拿的偶极子(光线、夸张的刺猬) 一枚小 disclination 戒指，不是一个点缺点的结构。