基于Geant4模拟质子在半导体Si材料中的NIEL值

利用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了质子对半导体Si材料的位移损伤效应的能量损失。根据反冲原子的能量,引入反冲原子能量Lindhard-Robinson-Akkerman分离函数,模拟结果表明10 MeV-1 GeV能量范围内的质子位移能量损失值和Jun、Summers等结果吻合较好。