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铁电存储器单元信号的测试与研究 被引量:1
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作者 翟亚红 李威 +3 位作者 李平 胡滨 李俊宏 辜科 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期792-796,801,共6页
基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电... 基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电容值,得到所设计电路的最大信号电压差(即读出容差)为1.3V,实现了集成铁电存储器单元的正确读写,成功验证了电路读写功能的正确性和模型的准确性,为进一步开发铁电存储器奠定了基础。 展开更多
关键词 铁电电容 铁电存储器 位线电容 读出容差
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一种高速只读存储器拓扑结构的设计
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作者 陈奕含 罗前 +2 位作者 陈志钧 罗小勇 李平 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期46-49,共4页
随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极... 随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度。该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证。 展开更多
关键词 只读存储器 位线电容 拓扑结构
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In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Studies of Single-walled Carbon Nanotubes for Electric Double-layer Capacitors
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作者 Yukihiro Yoshida Masato Tsutsui +2 位作者 Ayar Al-zubaidi Yosuke Ishii Shinji Kawasaki 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2015年第8期509-513,共5页
In situ synchrotron X-ray diffraction experiments of SWCNT (single-walled carbon nanotube) electrode in alkali halide aqueous electrolyte at several applied potentials were performed, and the change in the diffracti... In situ synchrotron X-ray diffraction experiments of SWCNT (single-walled carbon nanotube) electrode in alkali halide aqueous electrolyte at several applied potentials were performed, and the change in the diffraction pattern of SWCNTs was observed. It was found that the position of the 100 diffraction peak does not change with applied potential while the peak intensity decreases with anion adsorption. It was concluded that the space inside the tube would be the important ion adsorption site for the well-gown SWCNT bundles. 展开更多
关键词 Carbon nanotubes synchrotron X-ray EDLC
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