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锗单晶的位错研究
1
作者
闫洪
朱良
+1 位作者
陈绍兰
杨祖贵
《电子质量》
2012年第11期66-67,共2页
采用金相分析方法研究了锗单晶的位错,腐蚀试剂的选择对位错的显示有较大影响。实验表明,铁氰化钾腐蚀液能清晰地显示出锗单晶的位错,其位错腐蚀坑的形状是三角形,经过计算,锗单晶的位错密度大约为11 339根/cm2。
关键词
锗单晶
位错形状和密度
金相分析
下载PDF
职称材料
题名
锗单晶的位错研究
1
作者
闫洪
朱良
陈绍兰
杨祖贵
机构
昆明冶金研究院
昆明冶研新材料股份有限公司
出处
《电子质量》
2012年第11期66-67,共2页
文摘
采用金相分析方法研究了锗单晶的位错,腐蚀试剂的选择对位错的显示有较大影响。实验表明,铁氰化钾腐蚀液能清晰地显示出锗单晶的位错,其位错腐蚀坑的形状是三角形,经过计算,锗单晶的位错密度大约为11 339根/cm2。
关键词
锗单晶
位错形状和密度
金相分析
Keywords
Germanium single crystal
Dislocation shape and density
Metallographic examination
分类号
O772 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
锗单晶的位错研究
闫洪
朱良
陈绍兰
杨祖贵
《电子质量》
2012
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