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锗单晶的位错研究
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作者 闫洪 朱良 +1 位作者 陈绍兰 杨祖贵 《电子质量》 2012年第11期66-67,共2页
采用金相分析方法研究了锗单晶的位错,腐蚀试剂的选择对位错的显示有较大影响。实验表明,铁氰化钾腐蚀液能清晰地显示出锗单晶的位错,其位错腐蚀坑的形状是三角形,经过计算,锗单晶的位错密度大约为11 339根/cm2。
关键词 锗单晶 位错形状和密度 金相分析
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