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激光温喷丸诱发单晶铜位错扩展的分子动力学模拟 被引量:6
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作者 孟宪凯 周建忠 +3 位作者 黄舒 盛杰 苏纯 杨祥伟 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期13-19,共7页
为了研究面心立方金属在热力耦合作用下的微观组织,采用分子动力学方法对激光温喷丸在单晶铜内诱导的位错扩展进行了模拟,并使用中心对称参数研究了变形量对位错扩展的影响规律,以及温度对塑性变形诱导位错扩展的作用,进而从加工硬化的... 为了研究面心立方金属在热力耦合作用下的微观组织,采用分子动力学方法对激光温喷丸在单晶铜内诱导的位错扩展进行了模拟,并使用中心对称参数研究了变形量对位错扩展的影响规律,以及温度对塑性变形诱导位错扩展的作用,进而从加工硬化的角度分析了其对激光温喷丸强化效果的影响。结果表明,激光温喷丸过程中,塑性变形以"空位簇-不全位错-堆垛层错"的方式诱导产生不全位错与堆垛层错。随塑性变形增加,激光温喷丸的硬化效果逐渐增加。并且,温度可以促进塑性变形过程中位错的形核与扩展,200℃以内,激光温喷丸的硬化效果随温度的增加而增强,温度增至250℃时,硬化效果由于位错湮灭而减弱。 展开更多
关键词 激光光学 激光温喷丸 位错扩展 分子动力学
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掺Fe元素的InP晶体中扩展位错的运动
2
作者 洪建明 朱信华 +2 位作者 朱健民 盛东 王路春 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期505-506,共2页
关键词 掺铁 磷化铟晶体 扩展位错
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剪切应力下扩展位错穿越孔洞和夹杂相的相场模拟
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作者 郭文慧 倪勇 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期542-550,共9页
利用结合了相场微弹性理论和位错派纳模型的相场方法,数值模拟研究了面心立方晶体铝和铜中剪切应力下扩展位错穿越孔洞和夹杂相的过程.相场微弹性理论用来计算位错和孔洞/夹杂相之间的长程弹性相互作用,派纳模型中采用一维晶体能函数描... 利用结合了相场微弹性理论和位错派纳模型的相场方法,数值模拟研究了面心立方晶体铝和铜中剪切应力下扩展位错穿越孔洞和夹杂相的过程.相场微弹性理论用来计算位错和孔洞/夹杂相之间的长程弹性相互作用,派纳模型中采用一维晶体能函数描述扩展位错结构,Ginzburg-Landau动力学方程描述位错滑移的过程.模拟结果显示位错接近孔洞时,位错先被吸引到孔洞边缘而后被钉扎最后脱离孔洞;而当位错接近夹杂相时,位错先被夹杂相弯曲而后绕过夹杂相并产生位错环.研究发现层错能比较小的情况下扩展位错接近孔洞/夹杂相时会发生层错收窄,而绕过孔洞/夹杂相时会出现领先不全位错先穿越、滞后不全位错后穿越并伴随局部层错展宽的现象.该模拟结果不仅与前人原子层次模拟结果一致,而且进一步在更长的时间尺度下揭示了应力幅值、层错能参数对扩展位错穿越孔洞/夹杂相动力学过程的影响. 展开更多
关键词 弹性作用 刃型扩展位错 孔洞 夹杂相 相场模型
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扩展位错攀移的高温蠕变机制 被引量:3
4
作者 李勇 孔庆平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期91-97,共7页
本文研究了扩展位错攀移的高温蠕变机制。在文献[1]提出的扩展割阶束集模型的基础上,求出了在外加应力作用下割阶束集所需的时间和扩展位错的攀移速率,从而推导出稳态蠕变速率的表达式。根据此表达式,稳态蠕变速率与层错能的三次方成正... 本文研究了扩展位错攀移的高温蠕变机制。在文献[1]提出的扩展割阶束集模型的基础上,求出了在外加应力作用下割阶束集所需的时间和扩展位错的攀移速率,从而推导出稳态蠕变速率的表达式。根据此表达式,稳态蠕变速率与层错能的三次方成正比。这与一般实验结果相符。文中还指出了在某些情况下偏离三次方关系的可能原因。 展开更多
关键词 扩展位错攀移 蠕变机制 高温
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急冷铜合金中几种晶体缺陷的观察与讨论 被引量:3
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作者 丁厚福 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期84-88,共5页
用TEM考察了急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的晶体缺陷。结果表明,该合金中除了存在与高浓度空位有关的空位盘与蜷线位错之外.还存在与堆垛层错有关的层错四面体、扩展位错与孪晶,其中,空位盘与孪晶是在急冷结晶过程中产生... 用TEM考察了急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的晶体缺陷。结果表明,该合金中除了存在与高浓度空位有关的空位盘与蜷线位错之外.还存在与堆垛层错有关的层错四面体、扩展位错与孪晶,其中,空位盘与孪晶是在急冷结晶过程中产生的缺陷,蜷线位错、层错四面体与扩展位错是在是效过程中产生的缺陷,它们分别是该合金急冷强化与时效强化的重要因素。 展开更多
关键词 堆垛层错 扩展位错 孪晶 铜合金
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新型镍钴合金的高温蠕变行为研究
6
作者 刘庆 刘开芬 《铸造技术》 CAS 北大核心 2014年第5期887-889,共3页
研究了新型镍钴合金的高温蠕变行为。结果表明,当蠕变温度为625℃时,其显微组织主要是扩展位错层;当蠕变温度为700℃时,其显微组织主要是扩展位错层和变形微孪晶;当蠕变温度为800℃时,其显微组织主要为粗大的γ′相。
关键词 蠕变 扩展位错 变形微孪晶 γ'相
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Mn含量对Fe-Mn合金微观组织和阻尼性能的影响 被引量:2
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作者 宋顺远 李宁 +1 位作者 滕劲 颜家振 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期993-995,1000,共4页
通过真空感应电炉熔炼Fe-Mn合金、运用葛氏倒扭摆测量阻尼性能,结合SEM和TEM照片研究了Mn含量对Fe-Mn合金微观组织阻尼性能的影响。结果显示,随着Mn含量的增加,Fe-Mn合金的阻尼性能先增加后减小,在Mn含量为16.5%时取得峰值。原因在于,... 通过真空感应电炉熔炼Fe-Mn合金、运用葛氏倒扭摆测量阻尼性能,结合SEM和TEM照片研究了Mn含量对Fe-Mn合金微观组织阻尼性能的影响。结果显示,随着Mn含量的增加,Fe-Mn合金的阻尼性能先增加后减小,在Mn含量为16.5%时取得峰值。原因在于,当Mn含量<16.5%时,随着Mn含量增加,合金中扩展位错数量增加,同时α′马氏体数量减少直至消失,扩展位错的移动性能增加,合金的阻尼性能增加;当Mn含量>16.5%以后,合金中的扩展位错数量减少,合金的阻尼性能降低。 展开更多
关键词 FE-MN合金 阻尼性能 扩展位错
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Numerical analysis of interaction between solute atom and extended dislocation using force multipoles
8
作者 Hiroaki Morita Akiyuki Takahashi 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2014年第8期3000-3006,共7页
The interaction between a solute atom and an extended dislocation was investigated using a continuum approximation method with force multipoles.The dislocation core structure of extended dislocation was modeled with t... The interaction between a solute atom and an extended dislocation was investigated using a continuum approximation method with force multipoles.The dislocation core structure of extended dislocation was modeled with the Peierls-Nabarro model discretized with a number of infinitesimal Volterra dislocations.The interaction energy and force between a nickel solute atom and perfect and extended dislocation in copper were successfully calculated using the force multipoles.The results clearly show that the core structure of extended dislocation weakens the interaction with solute atoms.The interaction energy and force for extended dislocations are almost the half of those for perfect dislocations. 展开更多
关键词 solution hardening force multipole solute atom extended dislocation Peierls-Nabarro model
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室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
9
作者 张琼 蔡传荣 周海芳 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第2期55-57,共3页
采用透射电镜 (TEM )定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息 .发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态 .尽管产生的原因各异 ,但均为最终的低能稳定组态 .位错的存在和运动表明常温下单晶硅的... 采用透射电镜 (TEM )定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息 .发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态 .尽管产生的原因各异 ,但均为最终的低能稳定组态 .位错的存在和运动表明常温下单晶硅的压痕缺口附近产生塑性变形 . 展开更多
关键词 单晶硅 塑性变形 显微压痕 微观位错组态 透射电镜 位错 扩展位错 压杆位错
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体心立方金属钽Ⅱ型裂纹尖端缺陷萌生的多尺度分析 被引量:1
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作者 陆怀宝 黎军顽 +2 位作者 倪玉山 梅继法 王洪生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期488-494,共7页
本文采用多尺度准连续介质法(quasi-continuum method,QC)模拟体心立方(body-centered-cubic,bcc)金属钽(Ta)Ⅱ型裂纹尖端位错的形核与发射过程,获得位错发射位置与应力强度因子关系曲线,分析裂纹尖端缺陷萌生过程,研究全位错分解以及... 本文采用多尺度准连续介质法(quasi-continuum method,QC)模拟体心立方(body-centered-cubic,bcc)金属钽(Ta)Ⅱ型裂纹尖端位错的形核与发射过程,获得位错发射位置与应力强度因子关系曲线,分析裂纹尖端缺陷萌生过程,研究全位错分解以及扩展位错形成机理.位错活动在不同阶段表现出不一致的特征,新位错的发射对于位错运动具有促进作用.研究表明,裂纹扩展初始阶段首先萌生点缺陷,点缺陷随着加载强度增加会萌生新的点缺陷,点缺陷最终运动到边界,导致Ⅱ型断裂破坏.在全位错发射之前有不全位错的形核与发射表明全位错的分解分步进行,从势能曲线上来看,也就是两个极小值点的形成机理不同. 展开更多
关键词 多尺度 准连续介质法 Ⅱ型裂纹 扩展位错
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