NiAl位错核心结构的模拟

利用ＥＡＭ势函数对ＮｉＡｌ中〈１００〉，〈１１０〉刃位错和〈１００〉螺位错的位错核心结构及〈１００〉刃位错与点缺陷的交互作用进行了模拟研究．结果表明：〈１００〉刃位错在（００１）面沿［１１０］和［１１０］方向扩展，呈“蝶形”结构；而〈１００〉刃位错在｛１１０｝滑移面上位错核心结构更为紧凑，位错扩展现象不明显．这和试验中观察到的ＮｉＡｌ中位错进行〈１００〉｛１１０｝滑移，而非〈１００〉｛００１｝滑移的结果相一致．〈１１０〉位错在（００１）面沿［１１０］和［１１０］方向也有所扩展，但同〈００１〉位错相比，沿［１１０］方向位错核心扩展的宽度更大，由位错应力场导致的原子位移也更明显．通过模拟还发现〈１００〉螺位错、〈１００〉刃位错、〈１１０〉刃位错在滑移面内均无位错的分解现象．〈１００〉刃位错和点缺陷的交互作用模拟结果表明：在位错核心附近引入点缺陷列对位错核心结构的轮廓影响不明显，说明难以通过引入点缺陷。

3C-SiC薄膜小角晶界附近位错核心的原子组态研究

用La B6灯丝200 kV高分辨透射电镜拍摄了有小角晶界的3C-Si C/(001)Si薄膜的[1ˉ10]高分辨电子显微像.用像解卷技术把本不直接反映晶体结构的实验像转化为结构像.首先,从完整区的结构像中分辨开间距仅为0.109 nm的Si和C原子柱;随后按赝弱相位物体近似像衬理论,分析像衬随晶体厚度的变化规律,辨认出Si和C原子;进而在原子水平上得出小角晶界附近两个复合位错的核心结构,构建了结构模型并计算了模拟像.实验像与模拟像的一致程度验证了结构模型的正确性.于是,在已知完整晶体结构的前提下,仅从一帧实验高分辨像出发,推演出原子的种类和位错核心的原子组态.还讨论了3C-SiC小角晶界的形成与晶界附近出现复合位错的关系.