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应变多量子阱激光器的结构稳定性
1
作者
金智
杨树人
+1 位作者
安海岩
刘式墉
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期393-396,共4页
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据。因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明,净应力的...
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据。因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明,净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关,非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上,利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。
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关键词
净应力
应变多量子阱
位错的动力学模型
应变弛豫
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职称材料
题名
应变多量子阱激光器的结构稳定性
1
作者
金智
杨树人
安海岩
刘式墉
机构
吉林大学电子工程系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期393-396,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目!(69676021
69896260)
文摘
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫,讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力,是应变多量子阱稳定的重要判据。因此,用单结点模型计算了应变多量子阱结构中的净应力。计算结果表明,净应力的最大值在应变多量子阱结构中的位置与阱层和垒层的厚度以及阱层的失配有关,非应变垒层和盖层能在一定程度上稀释净应力。在此基础上,利用动力学模型计算了应变多量子阱的应变弛豫。
关键词
净应力
应变多量子阱
位错的动力学模型
应变弛豫
Keywords
net stress
strained MQWs
dynamic model of dislocation
strain relaxation
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应变多量子阱激光器的结构稳定性
金智
杨树人
安海岩
刘式墉
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
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