一种基于SiGe BiCMOS的高速采样/保持电路

设计了一种基于BiCMOS工艺的高速采样/保持电路,该工艺提供了180 nm的CMOS和75 GHzf_T的SiGe HBT。差分交换式射极跟随器和低下垂输出缓冲器的结合,使电路具有更好的性能。在Cadence Spectre环境下进行仿真,当输入信号为968.75 MHz、V_(pp)为1 V的正弦波,采样速率为2 GSPS时,该采样/保持电路的SFDR达到62.2 dB,THD达到-59.5 dB,分辨率达到9位;在3.3 V电源电压下,电路功耗为20 mW。