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题名具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管
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作者
王艺澄
靳晓诗
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《微处理机》
2020年第4期5-9,共5页
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文摘
基于带带隧穿原理,提出一种具有双向开关特性的隧穿场效应晶体管。不同于传统隧穿晶体管的PIN结构,新结构具有双向导通性,源漏区可互换,对反向泄漏电流有更好的抑制效果,同时具有低功耗和低亚阈值摆幅的优点。其对称的结构能更好兼容CMOS工艺,设计灵活性更好。通过Silvaco TCAD软件对器件3D结构进行I-V特性仿真,分析各器件参数改变对器件开关电流比(IonIoff)、亚阈值摆幅(SS)、反向泄漏电流和正向导通电流等电学特性的影响,从而改善器件特性,优化器件结构。
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关键词
隧穿场效应晶体管
带带隧穿
双向开关特性
低亚阈值摆幅
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Keywords
TFET with tunneling
Band-to-Band tunneling
Bidirectional switching characteristics
Low subthreshold swing
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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