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低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备
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作者 熊希希 杨祥龙 +8 位作者 陈秀芳 李晓蒙 谢雪健 胡国杰 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1371-1372,共2页
碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大... 碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm^(–2),基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm^(–2)。 展开更多
关键词 4H-SIC 8英寸 低位错密度 单晶衬底
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High density dislocations enhance creep ageing response and mechanical properties in 2195 alloy sheet
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作者 WEI Shuo MA Pei-pei +3 位作者 CHEN Long-hui YANG Jian-shi ZHAN Li-hua LIU Chun-hui 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期2194-2209,共16页
The creep strain of conventionally treated 2195 alloy is very low,increasing the difficulty of manufacturing Al-Cu-Li alloy sheet parts by creep age forming.Therefore,finding a solution to improve the creep formabilit... The creep strain of conventionally treated 2195 alloy is very low,increasing the difficulty of manufacturing Al-Cu-Li alloy sheet parts by creep age forming.Therefore,finding a solution to improve the creep formability of Al-Cu-Li alloy is vital.A thorough comparison of the effects of cryo-deformation and ambient temperature large pre-deformation(LPD)on the creep ageing response in the 2195 alloy sheet at 160℃with different stresses has been made.The evolution of dislocations and precipitates during creep ageing of LPD alloys are revealed by X-ray diffraction and transmission electron microscopy.High-quality 2195 alloy sheet largely pre-deformed by 80%without edge-cracking is obtained by cryo-rolling at liquid nitrogen temperature,while severe edge-cracking occurs during room temperature rolling.The creep formability and strength of the 2195 alloy are both enhanced by introducing pre-existing dislocations with a density over 1.4×10^(15)m^(−2).At 160℃and 150 MPa,creep strain and creep-aged strength generally increases by 4−6 times and 30−50 MPa in the LPD sample,respectively,compared to conventional T3 alloy counterpart.The elongation of creep-aged LPD sample is low but remains relevant for application.The high-density dislocations,though existing in the form of dislocation tangles,promote the formation of refined T1 precipitates with a uniform dispersion. 展开更多
关键词 creep ageing Al-Cu-Li alloy high dislocation density cryogenic rolling dislocation strengthening
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锗单晶中位错密度的影响因素 被引量:9
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作者 左建龙 冯德伸 李楠 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期726-730,共5页
直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整... 直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整晶体所处的热场(改变埚位和保温筒高度)、改变熔体中轴向负温度梯度的状况(增加坩埚杆的保温效果和开双加热器)和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热场来减小温度梯度对位错密度的影响;通过调整固液界面形状(改变拉速、埚转和晶转)来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界,得到低位错密度的单晶。 展开更多
关键词 锗单晶 低位错密度 太阳能电池 温度梯度
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蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备 被引量:1
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作者 黄科 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第2期143-147,共5页
设计了一种三维和二维交替(3D/2D)生长模式,并使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上通过3D/2D交替生长模式制备了AlN外延材料。高分辨X射线衍射仪测试结果表明,相较于纯3D和2D生长模式制备的AlN材料,3D/2D交替生长模... 设计了一种三维和二维交替(3D/2D)生长模式,并使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上通过3D/2D交替生长模式制备了AlN外延材料。高分辨X射线衍射仪测试结果表明,相较于纯3D和2D生长模式制备的AlN材料,3D/2D交替生长模式制备的AlN材料的(002)和(102)半高宽都有所减小,表明该3D/2D交替生长模式制备的AlN材料具有更高的晶体质量和更低的位错密度。原子力显微镜(AFM)测试表明,每个周期中3D AlN层与2D AlN层的厚度不同,3D/2D AlN样品的粗糙度不同。当单个周期中,3D AlN层厚度为100 nm和2D AlN层厚度为300 nm时,AlN表面平整,原子台阶清晰。喇曼光谱测试表明所有AlN样品都是c轴择优取向,3D/2D交替生长模式并不会改变AlN材料的生长方向。 展开更多
关键词 氮化铝(AlN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 交替生长模式 高晶体质量 低位错密度
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