环境内分泌干扰物低剂量效应研究进展

近 10年来 ,环境内分泌干扰物对健康的影响引起了人们的广泛关注。由于环境中有害物质的暴露呈低剂量长期接触的特征 ,阐明其低剂量效应特征及其对健康的影响 ,对于其安全性评价极为必要。有资料表明 ,通过实验动物证实了某些内分泌活性物质的低剂量效应 ,传统的多代繁殖实验标准方案不能揭示实验动物暴露于接近或低于无作用剂量水平 (NOAEL)的内分泌活性物质时导致的主要繁殖效应或发育效应 ,许多低剂量效应的毒理学意义尚未确定。环境中内分泌干扰物低剂量效应的存在对人类健康具有极大的潜在威胁。

硝酸镧对小鼠学习记忆低剂量兴奋效应及其机制研究

[目的]观察硝酸镧对小鼠学习记忆的低剂量兴奋效应及其与cAMP反应元件结合蛋白(CREB)和Jun-氨基末端激酶(JNK)蛋白磷酸化水平的关系。[方法]以0.002、0.02、0.2、2、20 mg/kg硝酸镧染毒ICR小鼠4周,每天测定小鼠水迷宫的反应时间和错误次数;试验结束时,取小鼠大脑分离海马和皮质,采用western blot测定p-CREB和p-JNK的含量。[结果]小鼠水迷宫的反应时间在染毒第4周时随着剂量的升高,呈现逐渐缩短,然后又逐渐延长的趋势,0.2 mg/kg组的反应时间最短;而错误次数则出现相反的趋势,2 mg/kg组的错误次数最少。硝酸镧经口染毒小鼠4周,0.2 mg/kg剂量组小鼠海马的CREB(6.20±3.2)和JNK(4.11±2.92)磷酸化水平升高,与溶剂对照组相比,差异有显著性。硝酸镧染毒各剂量组小鼠的皮质CREB和JNK磷酸化与对照组相比差异无显著性。[结论]硝酸镧经口染毒引起小鼠海马CREB和JNK蛋白的磷酸化水平升高,这与小鼠的学习记忆能力的变化的趋势一致,提示低剂量硝酸镧可能通过引起学习相关蛋白磷酸化水平的升高而对小鼠的空间学习记忆产生促进作用。

环境内分泌干扰物低剂量-效应研究进展

环境内分泌干扰物(EDCs)的低剂量-效应已成为生态毒理学界的研究热点.环境内分泌干扰物在接近或低于无可见不良效应浓度水平(NOAEL)时仍可诱发生物效应并存在非单调剂量-效应关系,这对现行的动物繁殖和发育毒理学检测规程以及环境内分泌干扰物风险评价的理论和方法提出了挑战.此外,由于环境中内分泌干扰物呈低剂量长期暴露的特征,研究低剂量-效应对正确进行生态风险评价具有重大的科学意义.在总结国内外相关研究的基础上,对当前环境内分泌干扰物低剂量-效应的研究进展进行了综述.

低剂量吡虫啉对异色瓢虫的Hormesis效应及其抗氧化酶活性的影响

以瓢虫为研究对象,研究低剂量吡虫啉对瓢虫控害效能及其抗氧化酶活性的影响。结果表明:低剂量吡虫啉(0.01、0.1、0.2、1mg.kg-1)能显著提高瓢虫的捕食量及相对活力,从而增强其控害效能。药后48h,低剂量吡虫啉可诱导瓢虫捕食量的Hormesis效应。在吡虫啉胁迫下异色瓢虫抗氧化酶活性变化明显,瓢虫体内超氧化物歧化酶、谷胱甘肽过氧化物酶活性无显著变化,而处理后24、72h,过氧化氢酶活性显著下降。该研究结果对害虫综合治理具有实践意义,有助于进一步了解Hormesis效应的产生机理。

PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。

双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法

介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。

典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估

采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能.

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。

不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制

文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应,发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机制是不相同的.最后文章讨论了其中可能的内在机制。

辐射的低剂量生物效应及分子流行病学研究现状

对低剂量辐射效应研究中的主要问题 ,诸如线性无阈假设、辐射致癌危险评价、辐射致癌机理以及辐射旁效应进行了综述 ,并概要介绍了分子流行病学在辐射效应研究中的应用及其研究现状。

锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应

锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10^(-1) Gy·s^(-1)和1.50×10^(-2) Gy·s^(-1)低剂量率下的γ辐照效应。结果显示,在300 Gy(Si)~1500 Gy(Si)总吸收剂量范围内,表征缺陷浓度的噪声功率谱密度较之辐照前变小,辐照前后噪声功率谱密度差值随着吸收剂量的增大而缓慢增大,噪声功率谱密度、载流子迁移率和载流子浓度在不同的吸收剂量率之间没有明显差异。上述结果表明γ辐照下锑基异质结晶体管未表现出明显低剂量率损伤增强效应,虽然存在微弱的总剂量效应,但是总体而言γ辐射使得锑基异质结晶体管性能变得更为优良,其载流子迁移率较之辐照前增大了1.35%~6.48%,载流子浓度较之辐照前增大了1.43%~6.88%。

Cd^(2+)和Cr^(3+)对崇明东滩湿地土壤碱性磷酸酶的低剂量兴奋效应

为了明确Cd^(2+)、Cr^(3+)与碱性磷酸酶(ALP)活性之间的低剂量兴奋效应关系,以崇明东滩湿地土壤为对象,通过添加不同剂量的外源Cd^(2+)(Cd Cl2)和Cr^(3+)(Cr Cl3),使土壤中w(Cd^(2+))分别为0、0.001、0.01、0.1、1、5、10、20、100和500 mg·kg-1,w(Cr^(3+))为0、0.5、5、50、100、500和5 000 mg·kg-1,观测土壤ALP活性随时间(0、6、12、24、48、72和120 h)的变化特征。结果表明:(1)培养12 h后,Cd^(2+)添加量为1 mg·kg-1时,ALP活性比对照高8.6%(P<0.05);当Cd^(2+)添加量大于10 mg·kg-1时,酶活性受到明显抑制。Cr^(3+)添加量为5 mg·kg-1时,ALP活性比对照显著升高22.8%(P<0.05);当Cr^(3+)添加量大于100 mg·kg-1时,酶活性显著降低。这表明Cd^(2+)和Cr^(3+)与ALP之间存在典型的低剂量兴奋效应,但效应的表达与两者接触时间的长短密切相关。(2)以培养24 h的土壤样品为例,Cd^(2+)添加量为1和5 mg·kg-1时,ALP的催化效率(Vmax/Km),即最大反应速率(Vmax)与Michaelis常数(Km)的比值为1.7;当Cd^(2+)添加量增加到20 mg·kg-1时,Vmax/Km比降至0.8,而Vmax和Km的值均低于对照。Cr^(3+)添加量为0.5和5 mg·kg-1时,Vmax/Km比为1.7;当Cr^(3+)添加量增至100 mg·kg-1时,Vmax/Km比降为1.4,但Vmax和Km值均高于对照,这表明重金属与土壤酶之间的低剂量兴奋效应机理可能与其离子特性密切相关。

不同^(60)Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应

为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下,各参数变化显著,电路功能出现异常,表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后,结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。

双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究

文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验。结果表明,室温辐照条件下,该双极器件在较高剂量率下的辐射损伤没有显著区别,但在低剂量率辐照下,辐射损伤明显增加;而在高温辐照条件下,即使辐照剂量率较高,其辐射损伤也有显著的差异。最后,讨论了这种效应可能的内在机制。

双极线性稳压器(LM317)的电离总剂量效应及剂量率的影响

对一款双极集成、三端线性稳压器LM317进行了不同偏置、不同剂量率条件下的电离辐射效应及室温退火特性研究。研究结果表明:器件输出电压、输入输出压差等敏感参数在电离辐射环境下发生了不同程度的变化,且在零偏偏置辐照下的变化比工作偏置辐照下的变化大;在零偏偏置条件,总剂量相同时低剂量率辐照下的损伤明显大于高剂量率辐照,表现出低剂量率损伤增强效应;在工作偏置条件,高剂量率辐照下的损伤大于低剂量率辐照下的损伤,但随后的退火实验中恢复到低剂量率辐照损伤水平,表现出时间相关效应。对稳压器辐射敏感参数的影响因素和不同偏置下的剂量率影响进行了分析和讨论。

不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究

对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。

空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究

本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型,并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RHNMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应。研究结果表明,在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火,利用给定的模型可以预估其它剂量率辐射下的总剂量效应,并给出了CC4007RH和C4007B器件空间低剂量率(1×10-4-1×10-2rad/s)环境下的漏电流的预估结果。

低剂量电子束辐照对马铃薯品质的影响

为探讨低剂量电子束对马铃薯品质的影响,以马铃薯二级种薯尤金885及海薯1号为供试材料,利用加速器产生的电子束辐照处理种薯后进行田间培育,研究其对马铃薯产量及品质的影响。结果表明:低剂量电子束辐照具有良好的增产效果,3～6Gy处理组的增产效果明显;低剂量电子束辐照对淀粉、干物质及还原糖含量有明显的影响,但因品种不同而有所差异。深入研究此项技术,可解决油炸专用型马铃薯短缺的问题。