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L波段低相位噪声压控振荡器 被引量:1
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作者 孙燕玲 费元春 杨仕明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期121-125,共5页
对微波晶体管振荡器的相位噪声进行了分析。为达到压控振荡器的低相位噪声要求,采用了低电平振荡经放大后输出的设计方案。实现的微带压控振荡器工作于L波段. 相对电调带宽大于10%,不加介质谐振器其SSB相位噪声约达到一90dBC/Hz/10kHz... 对微波晶体管振荡器的相位噪声进行了分析。为达到压控振荡器的低相位噪声要求,采用了低电平振荡经放大后输出的设计方案。实现的微带压控振荡器工作于L波段. 相对电调带宽大于10%,不加介质谐振器其SSB相位噪声约达到一90dBC/Hz/10kHz;经加放大输出功率达到10mW以上,功率平坦度≤±0.7dB. 在-20~+60℃范围内正常工作,频率温度稳定性为6×10^(-5);本压控振荡器已应用于频率合成器中。 展开更多
关键词 相位噪声 压控振荡 双极晶体管 l/f噪声 低功率振荡
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