低功率磁作用半导体激光照射对神经功能恢复的影响

目的 :探讨低功率磁作用半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法 :用 5 6只体重 2 .5kg左右的家兔随机分为 3 ,6,9和 12周 4个观察期组 ,每个观察期组随机分为半导体激光照组 (各用家兔 5只 )、磁作用半导体激光照组 (各用家兔 5只 )和对照组 (各用家兔 4只 )。麻醉后 ,均切断左侧腓总神经 ,用 9 0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后 1d开始照射家兔L5 ,6脊髓节段 ,照射激光输出功率为 2mW ,磁作用半导体激光照射采用在激光输出端安置强度为 5mT的恒磁场作用在激光上 ,每天照射 5min ,连续照射 7d。对照组不照射 ,均按期观察。结果 :术后 3周 ,各照射组看到细小而稀少的再生轴突 ,对照组直到术后 9周才看到 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 ) ;各照射组的腓总神经潜伏速率和动作电位波幅均优于对照组 (P <0 .0 1) ,磁作用激光照射组优于激光照射组 (P <0 .0 5 )。展趾功能到术后 12周 ,磁作用激光照射组与侧健相同 ,激光照射组恢复到磁作用照射组 9周水平 ,对照组才恢复到磁作用半导体照射组近 6周的水平。结论 :低功率的磁半导体激光促进了脊髓运动神经细胞功能 ,加速了轴突再生。

低功率半导体激光血管外照射对血脂、血液流变学指标的影响

应用半导体激光血管外照射舌下、鼻腔处血管 ,结果显示其TC、CHOL、HDL及血液流变学指标明显好转。同时给出了与He-Ne激光血管内照射疗法比较。说明了低功率半导体激光血管外照射与He-Ne激光血管内照射具有相近的疗效 ,都能遏制高脂血。

低功率半导体激光血管外照射疗法及其临床应用研究

本文介绍了一种低功率半导体激光血管外照射疗法 ,同了 5 0 0 0倍电镜下血红细胞照射前后的变化。在临床上分别给出了激光血管外照射和药物及血管内照射疗效对比及血脂 ,血流变指标的影响的对比得出了半导体激光血管外照射疗法是优于药物 ,和He

低功率半导体激光血管外照射机理及实验研究

总结了低功率激光血管外照射的治病机理,给出了一种无损伤的低功率半导体激光血管外照射方法,并拍摄了5000倍电镜下采用血管外照射治疗法前后血红细胞的变化照片,并给出两例典型病例结果显示,该疗法能遏制高脂血症、高粘血症及心脑血管病等的发生,对临床有一定的指导意义.

低功率半导体激光对口腔溃疡局部β-EP的影响

目的观察低功率半导体激光对口腔溃疡局部组织内β-EP的影响,探讨激光止痛机制。方法健康新西兰大白兔34只,4只用于空白对照,其余30只建立口腔溃疡模型后进行自身对照,实验侧作激光治疗,对照侧不做处理,用放免法检测β-EP的含量变化。结果实验侧与对照侧β-EP含量均显著高于空白对照组(P<0.05),实验侧与对照侧之间差异无统计学意义。结论激光照射并未使口腔溃疡局部组织中β-EP释放增多,有关激光止痛机制仍需进一步研究。

低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露(英文)

目的探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效。方法采用JAM-II型多功能半导体激光治疗仪(激光物质为GaA1As,激光波长650nm)对22例不同程度的义眼座暴露患者进行激光照射治疗,并将结果与既往采用药物及手术治疗的20例义眼座暴露患者比较。结果激光组22例全部愈合(100%);药物及手术组中轻、中、重度的愈合率分别为83.3%,63.6%和0。经采用χ2检验之四格表精确检验法处理,2组间轻度患者的愈合率在统计学上差异无显著性意义(P=0.545),而2组间中度和重度患者的愈合率在统计学上差异有显著性意义(P<0.05)。结论低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效优于药物及手术方法。可用于预防及治疗羟基磷灰石义眼座暴露。

低功率半导体激光联合康复新液治疗糜烂型扁平苔藓疗效观察

目的评价半导体激光对口腔糜烂型扁平苔藓(oral lichen planus,OLP)患者缓解疼痛、加速愈合、减小糜烂面积等方面的疗效。方法选取2016年1月-2017年10月在我院牙周黏膜科就诊的具有两处独立病损且病理确诊为糜烂型OLP的病例30例,随机挑选一处病损作为实验组,另外一处病损作同体对照。实验组和对照组均接受含漱康复新液治疗,同时实验组还应用低功率半导体激光照射治疗,治疗分4次进行,每次持续45 s,每次间隔1 min,评估治疗前后疼痛、病损尺寸、愈合时间等指标。结果实验组糜烂病损平均愈合时间为(3.05±1.10)d,对照组为(8.90±2.45)d(P=0.008);实验组30例患者中,28例治疗后疼痛即刻缓解,实验组VAS疼痛评分显著低于对照组(P均<0.05);与对照组相比,实验组病损尺寸明显减小(P<0.05)。结论低功率半导体激光治疗糜烂型口腔扁平苔藓疗效肯定,可加速病损愈合。

低功率半导体激光照射对神经功能恢复的影响

目的 探讨低功率半导体激光对家兔神经功能恢复的影响。方法 用 3 6只体重 2 5kg左右的家兔随机分为 3、6、9和 1 2周 4个观察期组 ,每个观察期组随机分为半导体激光照射组 (各用家兔 5只 )和对照组 (各用家兔 4只 )。麻醉后 ,均切断左侧腓总神经 ,用 9/0尼龙单丝对端吻合神经外膜。各照射组在术后 1d开始照射家兔L5 ,6脊髓节段 ,照射激光输出功率为 2mW ,每天照射 5min,连续照射 7d。对照组不照射 ,均按期观察。结果 术后 3周 ,可在照射组看到细小而稀少的再生轴突 ,对照组直到术后 6周才看到 (P <0 0 1 )。照射组的腓总神经潜伏速率均优于对照组 (P <0 0 1 ) ,动作电位波幅照射组也优于对照组。展趾功能到术后 1 2周 ,照射组与侧健相同 ,对照组才恢复到照射组 6周的水平。结论 低功率的半导体激光可促进脊髓运动神经细胞功能 ,加速轴突再生。

大功率低阈值半导体激光器研究

大功率低阀值半导体激光器被应用于我国的各行各业,造福了整个社会。随着时代的发展,半导体激光技术得到了极大的进步,首先对于半导体激光器来说,提升了它各方面的性能,使它成为现在应用最广泛的激光器。其次,半导体激光器无论是体积还是重量等,都很符合时代的理念,一方面利于存放与运输,另一方面以独特的形状更加适合操作与使用。另外,这种激光器在实现大光腔结构结构的同时会使得阈值电流的密度保持不变,从而保证激光器的低阈值。

低功率激光治疗作用机理的探讨

低功率激光治疗作用机理的探讨骆清铭，刘贤德，李再光一、引言近十余年来，国内外学者对低功率激光生物刺激作用进行了大量的研究，结果表明［６，８］，低功率激光辐照在促进溃疡愈合、刺激软硬组织修复、增进皮瓣活力等方面具有一定的临床价值，而且在治疗各种炎症性疾...

高性能980nm单模半导体激光器

采用经过优化的新型大光腔结构,设计出低发散角的980nm半导体激光器,利用分子束外延系统生长出应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,并制作出980nm单模半导体激光器。器件在3μm条宽,750μm腔长时,100mA电流下室温连续输出功率达到70mW以上。激光器的最大斜率效率为0.89W/A.垂直方向远场发散角为28°.器件在250mA工作电流下输出功率达到190mW.器件在70℃温度下仍可以正常工作。

低功率激光的生物刺激作用机理及研究

近年来 ,低功率激光的生物刺激作用的研究取得了可喜的成果 ,在临床是已经应用到各个领域 ,在对某些疾病的治疗效果是肯定的。但还存在许多问题 ,作用同理还没有统一。本文就低功率激光的生物刺激作用的一曲型实验研究 。

低功率激光通过细胞内 Ca^(2+) 对细胞功能的调控作用

综述了Ｈｅ－Ｎｅ激光照射使细胞溶质内［Ｃａ２＋］ｉ增加，产生钙信号，从而调控细胞功能，引起细胞内一系列生理和生物化学反应．

基于半导体激光器的快速成型能量源

针对快速成型技术中存在的问题,提出了一种可选址驱动的半导体激光器线阵能量源新方案.在计算机软件与硬件控制下,以带尾纤的低功率半导体激光器光纤输出端集成的方法设计和实现了选址驱动能量源线阵雏形.用两组半导体激光器光纤输出端线阵交错排列补偿以形成一维长度为10mm、宽度为0.25mm连续线阵能量源.该方案原理可行,为将来实现高功率半导体激光器阵列在快速成型技术中的应用提供了坚实的基础.

RIO公司发布低成本窄线宽半导体激光器

近日．RIO公司发布最新一款低成本窄线宽半导体激光器模块（Orion）。该款激光器模块较之于此前的产品．功率和调谐速度得到了很大的提高，单个激光器输出功率可达20—30mW。加上特殊设计的放大模块后，功率可达5W甚至更高；另外，快速波长调谐速度可达100KHz，这对于传感应用是至关重要的。

低功率激光的细胞功能调控作用

本文综述了当前低功率激光生物学作用机制在细胞水平在主要论述，提出可能的激光生物调控机制。

量子阱半导体激光器发展动态

综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流。

半导体激光器

TN248.4 2004064104 高铝AlxGa1-xAs氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁（中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京（100083））,宋国峰…∥半导体学报.—2004,25（5）.—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分AlxGa1-xAs的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层AlxGa1-xAs的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12（严寒）

高效率高功率976 nm半导体激光芯片设计与制备

976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件,具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率,同时满足苛刻的寿命要求,在设计上采用双非对称大光腔波导结构,同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了优化;在外延生长方面,系统地优化了生长工艺参数,确保了外延材料具有极高的内量子效率及低内损耗。大量测试表明:所制作的器件(腔长为5 mm、发光条宽为200μm的芯片)在室温、连续波(CW)测试条件下,阈值电流约为1 A,斜率效率为1.14 W/A;当电流为9 A时,最高功率转换效率高达72.4%;当电流为30 A时,输出功率达到29.4 W,功率转换效率为61.3%;对应于95%光场能量的水平远场发散角低至8.7°。上述参数性能已经达到了国际同类产品的先进水平。