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一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器
被引量:
4
1
作者
陈刚
解玉凤
林殷茵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期175-178,共4页
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20~60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0....
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20~60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8~3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。
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关键词
互补型金属氧化物半导体温度传感器
亚阈值区
低功耗宽电压范围
电源抑制比
下载PDF
职称材料
题名
一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器
被引量:
4
1
作者
陈刚
解玉凤
林殷茵
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期175-178,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61006016)
国家863资助项目(2008AA031401
2011AA010404)
文摘
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器,采用0.13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现,芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20~60°C的温度范围内,采用两点校正方法之后,温度误差为-0.2°C/0.5°C。该温度传感器可以在1.8~3.6V的电源电压范围内安全可靠地工作,并且具有较高的电源抑制比。测试结果表明,其输出电压斜率为3.9mV/°C,1.8V下功耗为1.3μW。
关键词
互补型金属氧化物半导体温度传感器
亚阈值区
低功耗宽电压范围
电源抑制比
Keywords
CMOS temperature sensor
subthreshold
low power wide voltage range
power supply rejection ratio (PSRR)
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器
陈刚
解玉凤
林殷茵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
4
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职称材料
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